[发明专利]一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备在审
申请号: | 202310437661.X | 申请日: | 2023-04-21 |
公开(公告)号: | CN116403943A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 荒见淳一 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 马天琪 |
地址: | 214112 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 及其 制造 方法 半导体设备 | ||
本申请提供一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备,加热盘包括:温度调节层,温度调节层包括多个调温区域,多个调温区域之间的面积差值小于目标阈值,也就是多个调温区域之间的面积基本相等,调温区域设置有至少一个金属回路,利用金属回路对调温区域的温度进行调节,降低加热盘不同调温区域之间的温差,以便多个调温区域之间的温度相同,即利用对应于某一个调温区域的金属回路对该调温区域的温度进行微调,实现不同调温区域之间温度的均衡,进而提高加热盘的温度均匀性。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备。
背景技术
随着半导体相关技术的发展,半导体器件以及芯片的制造工艺也在快速发展。
在半导体器件的制造过程中,通常会用到加热盘,将待制造器件放置到加热盘上,利用加热盘对待制造器件进行均匀加热,以实现在制造半导体器件的工艺过程中的温度要求。
但是当前的加热盘存在不同区域的温差较大,加热盘存在温度不均匀的现象。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备,能够降低加热盘不同区域的温差,提高加热盘的温度均匀性。
本申请实施例提供了一种加热盘,所述加热盘包括:温度调节层;所述温度调节层包括多个调温区域,多个所述调温区域之间的面积差值小于目标阈值;
所述调温区域设置有至少一个金属回路,利用所述金属回路对所述调温区域的温度进行调节,以便所述温度调节层包括的多个所述调温区域之间的温度相同。
可选地,所述温度调节层包括多个同心圆环区域,每个所述同心圆环包括至少一个调温区域。
可选地,温度调节层的材料为氮化铝,所述金属回路的材料为钨或铂。
可选地,还包括电阻温度检测器,所述电阻温度检测器和所述金属回路连接;
所述电阻温度检测器用于获取所述金属回路的阻抗,以便根据所述金属回路的阻抗确定所述调温区域的实际温度变化值。
可选地,还包括接地电极层,所述接地电极层包括返回电极,所述返回电极和所述金属回路连接。
可选地,所述加热盘包括放置待加热物的加热侧,所述加热盘还包括升温层,所述升温层设置于所述温度调节层远离所述加热侧的一侧。
可选地,所述升温层包括加热回路,所述升温层和所述温度调节层为一体结构,所述一体结构是在氮化铝材料形成的叠层结构上分别印刷加热回路和金属回路而后将叠层结构堆叠烧结形成的。
可选地,还包括隔热层,所述隔热层设置于所述升温层远离所述加热侧的一侧。
可选地,所述隔热层的材料包括不透明石英或氧化铝。
可选地,还包括陶瓷层,所述陶瓷层设置于所述隔热层远离所述加热侧的一侧。
可选地,所述陶瓷层的材料包括氧化铝。
可选地,所述隔热层和所述陶瓷层包括连接线,所述连接线用于连接所述金属回路和电源;
所述连接线包括依次连接的第一金属线、第二金属线以及端子,所述第一金属线设置于所述隔热层,所述第二金属线设置于所述隔热层和所述陶瓷层的界面,所述端子设置于所述陶瓷层。
可选地,所述端子利用钎焊或铜焊工艺形成,所述第二金属线利用印刷工艺形成。
可选地,还包括侧壁隔热层,所述侧壁隔热层设置在所述温度调节层、升温层以及陶瓷层的侧壁。
可选地,所述侧壁隔热层的侧壁设置有防腐蚀涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造