[发明专利]一种改善半导体激光器Smile效应的负极结构在审
| 申请号： | 202310438403.3 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116247508A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;司婷玉;周旭彦;程仕聪 | 申请（专利权）人： | 潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵军 |
| 地址： | 262400 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体激光器 smile 效应 负极 结构 | ||
1.一种改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于：包括芯片焊接区、绝缘区、连接芯片焊接区与绝缘区的齿状结构。
2.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，负极结构采用金属材料制成，厚度为10-500 μm。
3.根据权利要求2所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，负极结构为无氧铜材料制成，负极结构表面镀金。
4.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，芯片焊接区宽度为5-15 mm，长度为0.5-7 mm。
5.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，齿状结构为S形，长度为0.1-10 mm。
6.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，齿状结构间隔为0.05-1 mm。
7.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，负极结构的芯片焊接区预置In焊料或AuSn焊料，但不限于使用In焊料或AuSn焊料。
8.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，负极结构用于微通道水冷热沉封装的半导体激光器中。
9.根据权利要求1所述的改善半导体激光器Smile效应的负极结构，其特征在于，负极结构的芯片焊接区与半导体激光器芯片焊接，负极结构的绝缘区与半导体激光器绝缘层贴合固定。
10.一种采用权利要求1所述的负极结构的微通道水冷封装的半导体激光器封装结构，其特征在于，包括：热沉、半导体激光器芯片、绝缘层、负极片；热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，半导体激光器芯片P面朝下焊接于热沉的芯片安装区，绝缘层安装于热沉的绝缘区，负极片结构焊接于半导体激光器芯片的N面，负极片结构覆盖于半导体激光器芯片和绝缘层上并固定牢固，负极片结构、半导体激光器芯片、热沉依次焊接；热沉为微通道水冷热沉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所，未经潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310438403.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发热组件、雾化结构以及雾化器
- 下一篇：利用在炮孔装药的射流单元的爆破方法
