[发明专利]一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法

权利要求书

1.一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法，其特征在于，该方法是针对二维材料，对于二维材料上待进行粒子扩散和/或插层的目标区域，首先在二维材料内引入应力形变，所述目标区域与非目标区域的边界线与引入应力形变的位置相重合；然后，在所述二维材料上形成保护层，并在与所述目标区域相对应的保护层区域上设置暴露窗口；接着，将所述二维材料与粒子接触，粒子由暴露窗口扩散至所述二维材料中，并限制在所述目标区域中，从而实现对扩散和/或插层位置的精确控制。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述应力形变是通过将二维材料与存在突变高度差结构的表面保形贴合实现的。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于，所述突变高度差结构的高度差设计为单层至多层原子高度。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述应力形变是通过将二维材料与存在突变高度差结构阵列的表面保形贴合实现的。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述应力形变是通过将二维材料与存在形变台阶(201)的衬底保形贴合实现的；

所述形变台阶(201)的厚度为单层至多层原子高度。

6.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述二维材料为层状晶体材料，优选为石墨烯、过渡金属硫族化合物、黑磷中的一种或多种；

所述二维材料的厚度为单原子层或多原子层。

7.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述粒子为原子、离子、分子中的一种或多种；

优选的，所述原子为银原子、铜原子、钴原子；所述离子为锂离子、钠离子、钾离子；所述分子为肼分子、胺分子、吡啶分子。