[发明专利]一种光电传感器封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供基板和设于基板一侧的至少一个光电传感器单元，所述光电传感器单元包括光发射芯片和光接收芯片；

S2、在所述光发射芯片、光接收芯片通过引线键合连接到基板后，分别在光发射芯片、光接收芯片的上方安装高透光的第一晶粒粘贴膜；预先在所述第一晶粒粘贴膜的上表面粘贴透光层；

S3、对所述第一晶粒粘贴膜烘烤固化后，利用不透光塑封料对光发射芯片、光接收芯片进行塑封，形成塑封部，所述塑封部包裹光发射芯片、光接收芯片、第一晶粒粘贴膜及透光层的所有侧面，且使光发射芯片和光接收芯片顶面的透光层上表面裸露。

2.根据权利要求1所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述光发射芯片和光接收芯片通过第二晶粒粘贴膜设置在基板上。

3.根据权利要求2所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，所述第二晶粒粘贴膜为15-30um厚度的热固性晶粒粘贴膜。

4.根据权利要求1所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第一晶粒粘贴膜为45-55um厚度，透光率大于95%的热固性晶粒粘贴膜。

5.根据权利要求4所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述不透光塑封料为黑色塑封树脂。

6.根据权利要求5所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，所述透光层选用蓝宝石单晶片、蓝宝石玻璃片或者玻璃片中的一种。

7.根据权利要求6所述的一种光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一晶粒粘贴膜、第二晶粒粘贴膜和透光层的尺寸均和其对应位置的光发射芯片或光接收芯片相同。

8.一种利用权利要求1-7中任一项所述的制备方法制成的光传感器封装结构，其特征在于，包括基板、至少一个光电传感器单元和塑封部，所述光电传感器单元通过第二晶粒粘贴膜设置在基板上，所述光电传感器单元包括光发射芯片和光接收芯片；所述光发射芯片和光接收芯片的顶面依次设有高透光的第一晶粒粘贴膜和透光层，所述塑封部包裹光发射芯片、光接收芯片、第一晶粒粘贴膜及透光层的所有侧面，且使光发射芯片和光接收芯片顶面的透光层上表面裸露。