[发明专利]一种II类超晶格光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种II类超晶格光电探测器，其特征在于，包括：衬底层，依次位于所述衬底层上的DBR反射层和UTC结构；

所述UTC结构包括层叠设置的底部接触层、漂移层、吸收层、势垒层和顶部接触层。

2.根据权利要求1所述的II类超晶格光电探测器，其特征在于，所述顶部接触层、所述势垒层、所述吸收层和所述漂移层的图形形成所述II类超晶格光电探测器的第一台面；

所述底部接触层和所述DBR反射层的图形形成所述II类超晶格光电探测器的第二台面；所述第二台面大于所述第一台面。

3.根据权利要求2所述的II类超晶格光电探测器，其特征在于，还包括：

位于所述第一台面表面和所述第二台面表面的钝化层。

4.根据权利要求3所述的II类超晶格光电探测器，其特征在于，还包括：

位于所述第一台面上表面两侧和所述第二台面上表面两侧且与所述钝化层接触的金属电极层。

5.根据权利要求1所述的II类超晶格光电探测器，其特征在于，还包括：

位于所述衬底层和所述DBR反射层之间的缓冲层。

6.根据权利要求1所述的II类超晶格光电探测器，其特征在于，所述底部接触层为n型掺杂底部接触层；

所述漂移层为非刻意掺杂漂移层；

所述吸收层为多层p型掺杂浓度沿所述顶部接触层指向所述底部接触层的方向依次梯度降低的吸收层；

所述势垒层为p型掺杂势垒层；

所述顶部接触层为p型掺杂顶部接触层。

7.一种如权利要求1至6任一项所述II类超晶格光电探测器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底层上形成DBR反射层；

在所述DBR反射层上形成UTC结构，依次为底部接触层、漂移层、吸收层、势垒层和顶部接触层。

8.根据权利要求7所述的II类超晶格光电探测器的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述顶部接触层、所述势垒层、所述吸收层和所述漂移层进行构图工艺，形成第一台面；

对所述底部接触层和所述DBR反射层进行构图工艺，形成第二台面；所述第二台面大于所述第一台面。

9.根据权利要求8所述的II类超晶格光电探测器的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一台面和所述第二台面的表面沉积一层钝化层材料；

对所述钝化层材料进行构图工艺，形成具有扩散窗口的钝化层的图形；

在形成有所述扩散窗口的所述第一台面和所述第二台面上形成金属电极层；所述金属电极层位于所述第一台面上表面两侧和所述第二台面上表面两侧且与所述钝化层接触。

10.根据权利要求7所述的II类超晶格光电探测器的制作方法，其特征在于，在衬底层上形成DBR反射层，包括：

在衬底层上形成缓冲层，并在所述缓冲层上形成DBR反射层。