[发明专利]一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆的衬底具有至少一个有效区域和至少一个裸露区域，所述有效区域覆盖有复合薄膜，所述裸露区域设置有向内凹陷的填充部，所述填充部靠近所述裸露区域与所述有效区域相接的边缘；

第一薄膜层，所述第一薄膜层形成在所述裸露区域的至少部分区域和所述复合薄膜上且所述第一薄膜层填充所述填充部。

2.根据权利要求1所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述填充部位于所述裸露区域与所述有效区域的边缘并与所述复合薄膜相接。

3.根据权利要求1或2所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述复合薄膜远离所述晶圆的衬底的一面设置有焊盘和谐振器；

所述第一薄膜层覆盖在所述焊盘的部分表面和所述谐振器的周围并且具有分别露出所述焊盘的部分表面和所述谐振器的开口，其中，露出所述谐振器的开口的面积大于所述谐振器的面积。

4.根据权利要求3所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，还包括第二薄膜层，所述第二薄膜层形成在所述第一薄膜层远离所述衬底的一面，所述复合薄膜、所述第一薄膜层露出所述谐振器的开口和所述第二薄膜层形成谐振腔。

5.根据权利要求1或2所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述填充部的深度为0.5μm-20μm。

6.根据权利要求1或2所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述衬底的切割道以及芯片边缘的至少部分区域为所述裸露区域。

7.一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在衬底表面形成复合薄膜；

S2、去除部分所述复合薄膜使所述衬底表面形成至少一个有效区域和至少一个裸露区域，所述有效区域为覆盖有所述复合薄膜的区域，所述裸露区域为所述复合薄膜被去除的区域；

S3、在所述复合薄膜上设置焊盘和谐振器；

S4、在所述裸露区域形成向内凹陷的填充部，所述填充部靠近所述裸露区域与所述有效区域相接的边缘；

S5、在所述裸露区域的至少部分区域和所述复合薄膜上形成第一薄膜层，所述第一薄膜层填充所述填充部且具有分别露出所述焊盘的部分表面和所述谐振器的开口，其中，露出所述谐振器的所述开口的面积大于所述谐振器的面积；

S6、在所述第一薄膜层远离所述衬底的一面形成第二薄膜层，所述第二薄膜层具有开孔，所述开孔设置在露出所述焊盘的部分表面的所述开口上方且所述开孔的面积大于或等于露出所述焊盘的部分表面的所述开口的面积，所述复合薄膜、露出所述谐振器的所述开口和所述第二薄膜层形成谐振腔；

S7、在所述焊盘上设置接线柱，所述接线柱穿过露出所述焊盘的部分表面的所述开口和所述开孔，之后在所述接线柱远离所述焊盘的一端形成焊接部，所述焊接部为锡球或化镀镍金。

8.根据权利要求7所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，所述填充部位于所述裸露区域与所述有效区域的边缘并与所述复合薄膜相接。

9.根据权利要求7所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，所述填充部的深度为0.5μm-20μm。

10.根据权利要求7所述的具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，所述衬底的切割道以及芯片边缘的至少部分区域为所述裸露区域。