[发明专利]一种Lamb波声学器件杂波模式抑制结构在审
| 申请号： | 202310455761.5 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116505907A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈正林;李桦林;杜雪松;马晋毅;肖强;郑泽鱼;贺艺;董加和;潘虹芝;胡丞稷;米佳;梁柳洪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/145;H03H9/25;H03H9/13 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 项晓丹 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lamb 声学 器件 模式 抑制 结构 | ||
1.一种Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，包括电极指条层、压电薄膜层和支撑衬底层，所述电极指条层包括汇流排和指条，所述电极指条层位于所述压电薄膜层上，所述压电薄膜层位于所述支撑衬底层上，所述支撑衬底层包括沿轴向设置的两个支撑衬底，两个所述支撑衬底沿轴向方向设置在所述压电薄膜层的两端，且所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层外侧的端面与所述压电薄膜层的外端面齐平，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面位于所述指条末端端面的下方。
2.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面与所述指条末端端面之间的轴向距离大于等于0。
3.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面与所述指条末端的端面在竖向方向齐平。
4.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面向内凸出于所述指条末端的端面。
5.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面通过过渡连接部与所述压电薄膜层过渡连接，所述过渡连接部靠近所述压电薄膜层内侧的端面与所述指条末端端面之间的轴向距离为W1，且W1≥0。
6.根据权利要求5所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述过渡连接部为所述支撑衬底的对应端面处沿竖向方向从下往上逐渐向内侧倾斜而形成的角形过渡区。
7.根据权利要求5所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述过渡连接部为所述支撑衬底的对应端面在竖向方向从下往上逐渐向内侧延伸而形成的圆弧形过渡区。
8.根据权利要求5所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述过渡连接部为所述支撑衬底的对应端面在竖向方向从下往上逐渐向内侧延伸而形成的多级阶梯形过渡区。
9.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述压电薄膜层采用以下材料中的至少一种材料制成：铌酸锂、钽酸锂、石英、四硼酸锂、硅酸镓镧、铌酸镓镧。
10.根据权利要求1所述的Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，其特征在于，所述支撑衬底层采用以下材料中的至少一种材料制成：硅、蓝宝石、碳化硅、金刚石、尖晶石。
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