[发明专利]一种类自支撑柔性无机热电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供盐类衬底；

在所述盐类衬底表面制备热电薄膜；

在所述热电薄膜表面制备有机物衬底，得到含有类自支撑衬底的热电薄膜；

将所述含有类自支撑衬底的热电薄膜浸渍在水中，待所述盐类衬底溶解后得到类自支撑柔性无机热电薄膜。

2.根据权利要求1所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述盐类衬底的材质选自钠盐、钾盐、硝酸盐、铵盐、小苏打中的一种。

3.根据权利要求1所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述热电薄膜包括Sb₂Te₃薄膜、SnSe薄膜、Bi₂Te₃薄膜、Cu₂Se薄膜中的一种。

4.根据权利要求1所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机物衬底的材质包括Su-8-2002光刻胶、AZ P4620、SPR220中的一种。

5.根据权利要求1所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述盐类衬底表面制备热电薄膜的方法包括物理气相沉积、单质共溅射、合金靶溅射、单质共蒸发、化合物蒸发、化学反应合成中的一种。

6.根据权利要求1所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述类自支撑柔性无机热电薄膜为类自支撑柔性Sb₂Te₃薄膜，所述类自支撑柔性Sb₂Te₃薄膜的制备方法包括步骤：

在NaCl衬底上镀Sb薄膜；

在玻璃衬底上镀Te薄膜；

将所述Sb薄膜和所述Te薄膜进行加热贴合处理，得到具有NaCl衬底的Sb₂Te₃薄膜；

在所述Sb₂Te₃薄膜表面旋涂Su-8-2002光刻胶，依次经第一次加热处理、曝光处理、第二次加热处理，得到含有类自支撑衬底的Sb₂Te₃薄膜；

将所述含有类自支撑衬底的Sb₂Te₃薄膜浸渍在水中，待所述NaCl衬底溶解后得到所述类自支撑柔性Sb₂Te₃薄膜。

7.根据权利要求6所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，在NaCl衬底上镀Sb薄膜时，镀膜气压为4.5*E-5mtorr，蒸发功率为22W，蒸发功率速率为2W/min；

在玻璃衬底上镀Te薄膜时，镀膜气压为4.5*E-5mtorr，蒸发功率为20W，蒸发功率速率为2W/min。

8.根据权利要求6所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热贴合处理的温度为340-360℃，所述加热贴合处理的时间为25-35min。

9.根据权利要求6所述的类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法，其特征在于，待所述NaCl衬底溶解后，还包括烘干处理；所述烘干处理的温度为60-80℃，所述烘干处理的时间为10-20min。

10.一种利用权利要求1-9任一项所述类自支撑柔性无机热电薄膜的制备方法制得的类自支撑柔性无机热电薄膜。