[发明专利]半导体测试结构及半导体参数测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，包括测试区，其特征在于，所述测试区内设有：

有源层，包括有源组，所述有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；

栅极结构，所述栅极结构在所述有源组上的正投影贯穿多个所述有源区；

多个引线组，各所述引线组分别位于各所述有源区上，并与所述有源区接触连接，且各所述引线组均位于所述栅极结构的同一侧；

导电连接层，位于所述引线组远离所述有源层的一侧，且包括多个沿所述第一方向间隔分布的第一导电连接部，所述第一导电连接部连接于相邻的两个所述引线组之间，以将各所述有源区串联；

所述测试结构还包括第一冗余区，所述第一冗余区至少设于所述测试区的一侧，所述第一冗余区和所述测试区邻接分布，所述第一冗余区内设有：

参考有源层，所述参考有源层包括多个沿所述第一方向间隔分布的参考有源区；

多个参考引线组，各所述参考引线组分别位于各所述参考有源区上，并与所述参考有源区接触连接；

参考导电层，位于所述参考引线组远离所述参考有源层的一侧，且与所述参考引线组接触连接。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述引线组包括沿所述第一方向间隔分布的第一引线和第二引线，且与多个所述有源区连接的多个所述第一引线和多个所述第二引线沿所述第一方向交替分布；在所述第一方向上，相邻的两个所述有源区中，所述第一导电连接部的一端部和与前一所述有源区连接的第二引线连接，所述第一导电连接部的另一端和与后一所述有源区连接的第一引线连接。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线分别位于所述有源区的边缘区域。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一引线和/或所述第二引线在所述有源层上的正投影的部分区域位于所述有源区以外。

5.根据权利要求1-4任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试区内的所述有源组的数量为多个，多个所述有源组沿第二方向间隔分布，所述第二方向与所述第一方向相交；所述栅极结构的数量为多个，每个所述有源组上分别设有一个所述栅极结构；

所述导电连接层还包括多个沿所述第二方向间隔分布的第二导电连接部，在所述第二方向上，所述第二导电连接部连接于相邻两个所述有源组之间，以将各所述有源组串联。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括第二冗余区，所述第二冗余区和所述测试区沿所述第一方向邻接分布，各所述栅极结构均由所述测试区延伸至所述第二冗余区内，所述第二冗余区内设有：

参考连接层，所述参考连接层与各所述栅极结构均电连接。

7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电连接部在所述第二方向上的宽度与其在所述第一方向上的宽度相等；所述第二导电连接部在所述第二方向上的宽度与其在所述第一方向上的宽度相等。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，在所述第二方向上位于最顶部的所述有源组为起始有源组，所述起始有源组中位于两个端部的有源区分别为第一端部有源区和第二端部有源区；在所述第二方向上位于最底部的所述有源组为终止有源组，所述终止有源组中位于两个端部的有源区分别为第三端部有源区和第四端部有源区；与所述第二端部有源区连接的所述引线组以及与所述第三端部有源区连接的所述引线组均与所述第二导电连接部连接；所述测试结构还包括：

第一外接部，位于所述引线组远离所述有源层的一侧，且和与所述第一端部有源区连接的引线组电连接；

第二外接部，位于所述引线组远离所述有源层的一侧，且和与所述第四端部有源区连接的引线组电连接。

9.一种半导体参数测试方法，其特征在于，采用权利要求8所述的半导体测试结构检测所述引线组的电学参数。