[发明专利]一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池及其制备方法与应用在审
申请号: | 202310462918.7 | 申请日: | 2023-04-26 |
公开(公告)号: | CN116525716A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 杨希娅;林伟泽;唐群委;段加龙;廖佳伟;谢雨婷;郑景乔 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H02S10/10;H02S30/00;H02N1/04;H01L31/042 |
代理公司: | 广东南北知识产权代理事务所(普通合伙) 44918 | 代理人: | 肖湘漓 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 阵式 拓扑 图案 电极 混合 能量 采集 太阳能电池 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将多壁碳纳米管和聚二甲基硅氧烷溶于溶剂中,待溶剂挥发后再加入固化剂,制得多壁碳纳米管/聚二甲基硅氧烷导电油墨;
S2、准备具有银栅顶电极和背部铝电极的晶硅太阳能电池,将聚二甲基硅氧烷和固化剂混合均匀后,在晶硅太阳能电池表面制备一层聚二甲基硅氧烷薄膜,并放置与电池银栅重合的导电金属回路;
S3、对氟化乙烯丙烯薄膜进行打孔后覆盖在聚二甲基硅氧烷薄膜上,孔洞位置与金属回路对应,并加热固化;
S4、在氟化乙烯丙烯薄膜的孔洞位置涂覆一层步骤S1制备的导电油墨,加热固化后将导电油墨电极通过孔洞与导电金属回路连通,制成点阵拓扑图案电极;
S5、引出氟化乙烯丙烯薄膜表面的点阵拓扑图案电极、太阳能电池表面的银栅顶电极以及太阳能电池背部的铝电极,组装成混合能量采集硅太阳能电池,其中,通过连接点阵拓扑图案电极与太阳能电池背部的铝电极组成纳米发电机,用于收集雨滴的能量;通过连接银栅顶电极以及太阳能电池背部的铝电极,用于收集太阳的能量。
2.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述多壁碳纳米管与聚二甲基硅氧烷的质量比为11wt.%。
3.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述聚二甲基硅氧烷与固化剂的质量比为15:1~5:1。
4.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述晶硅太阳能电池为PERC单晶硅太阳能电池。
5.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述晶硅太阳能电池的光电转换效率为20%以上。
6.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,导电金属回路的直径为0.1mm,间隔13.85~15.85mm。
7.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述氟化乙烯丙烯薄膜的厚度为0.05mm,打孔后的氟化乙烯丙烯薄膜的孔洞按照“棋盘”式排列,孔洞位置与金属回路对应,单个孔洞的直径为1mm,阵列孔洞行和列之间的间距为14.85mm。
8.根据权利要求1所述的一种具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S3和S4中,加热固化的温度均为70-90℃,时间均为2-4小时。
9.采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池。
10.权利要求9所述的具有点阵式拓扑图案电极的混合能量采集硅太阳能电池在光伏电站中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学,未经暨南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310462918.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的