[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202310465646.6 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116314233A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姜东伟;陈辉;李晓玉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区；
在所述源漏极区范围内的第一离子注入区注入第一预定剂量的碳离子，后向所述源漏极区范围内的第二离子注入区注入第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，向所述源漏极区注入第二预定剂量的氟离子后进行退火工艺，以改善晶格缺陷。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，进行退火工艺的温度为750℃～850℃。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一预定剂量是所述第二预定剂量的4～6倍。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一预定剂量是所述第二预定剂量的5倍。
6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述源漏极区之前：在所述衬底上刻蚀形成沟槽结构，并向沟槽结构中淀积氧化物形成浅槽隔离结构，然后向所述衬底注入第一导电类型离子形成阱区，在所述阱区上淀积多晶硅并刻蚀以形成栅极。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极后，还在所述阱区中注入第二导电类型离子，以形成位于所述栅极两侧的所述源漏极区。
8.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：
衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区；
第一离子注入区，位于所述源漏极区的范围内，所述第一离子注入区中注入有第一预定剂量的碳离子；
第二离子注入区，位于所述源漏极区的范围内，所述第二离子注入区中注入有第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合。
9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一预定剂量是所述第二预定剂量的4-6倍。
10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一预定剂量是所述第二预定剂量的5倍。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
