[发明专利]一种小花山奈的栽培繁育方法

权利要求书

1.一种小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，包括以下措施：

小花山奈不定芽的诱导、小花山奈不定芽的增殖、小花山奈的生根培养、小花山奈的炼苗移栽。

2.根据权利要求1所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述小花山奈不定芽的诱导包括：

(1)芽基部的获取：

采集小花山奈地下块茎，将清洗、消毒、灭菌后的小花山奈地下块茎进行恒温发芽，待萌芽生长至3-4cm，芽基部膨大时，采集小花山奈的芽，并从该小花山奈的芽上切取芽基部；

(2)芽基部的消毒；

(3)芽基部的不定芽诱导:

将消毒后的小花山奈芽基部接种于不定芽诱导培养基，每瓶中接种1个芽基部；

(4)芽基部的培养。

3.根据权利要求2所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述不定芽诱导培养基为：

MS固体培养基作为基础培养基，并添加蔗糖30g/L、琼脂7g/L、激素6-BA 2mg/L、NAA0.1mg/L，121℃下灭菌20min。

4.根据权利要求2所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，小花山奈地下块茎进行恒温发芽的条件为：温度25℃、湿度80％。

5.根据权利要求2所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述芽基部的培养包括：

将接完种的小花山奈芽基部置于培养室中培养，培养室温度25℃，光照强度2000lx，光照时间13h/d，培养40d。

6.根据权利要求1-5任一所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述小花山奈不定芽的增殖包括：

(1)当芽基部诱导出的不定芽生长至3-4cm时，在超净工作台中转接不定芽；

(2)将诱导出的不定芽转接至不定芽增殖培养基；

(3)接完种后置于培养室中培养，培养室温度25℃，光照强度2500lx，光照时间14h/d，培养20d。

7.根据权利要求6所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述不定芽增殖培养基为：

MS固体培养基作为基础培养基，并添加蔗糖30g/L、琼脂8g/L、激素6-BA 2mg/L、NAA0.1mg/L，KT0.5 mg/L，121℃下灭菌20min。

8.根据权利要求1-5任一所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述小花山奈的生根培养包括：

(1)当增殖的不定芽生长至5-6cm，且有1-2片叶片展开时，切分不定芽；

(2)将切分后的不定芽转接至生根培养基中，每瓶接种1个不定芽；

(3)将接完种后的不定芽置于培养室中培养，培养室温度25℃，光照强度4000lx，光照时间14h/d，培养20d。

9.根据权利要求8所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述生根培养基为：

MS固体培养基作为基础培养基，并添加蔗糖30g/L、琼脂7g/L、NAA0.2mg/L，121℃下灭菌20min。

10.根据权利要求1-5任一所述的小花山奈的栽培繁育方法，其特征在于，所述小花山奈的炼苗移栽包括：

(1)炼苗：

将生根后的小花山奈组培苗转移到温室进行自然光照射，强光照需覆盖两层遮阴网，室内温度25℃，空气湿度80％，5d后将栽培小花山奈组培苗的瓶盖部分打开，适应2d后瓶盖完全打开，再放置3d后即可移栽；

(2)移栽：

将小花山奈培养苗从培养瓶中取出，消毒处理后移栽到穴盘，穴盘的基质成分包括：质量比为1:1的泥炭土和珍珠岩，基质混匀后用15％的多菌灵溶液进行灭菌处理，薄膜覆盖两天后即可使用，栽植深度为2～3cm，用基质覆盖根系，并浇透水；

培养30d后，移栽到营养钵中，营养钵中的基质为质量比为4:1的泥炭土和珍珠岩，湿度80％。