[发明专利]一种光诱导集成相变射频开关在审
申请号: | 202310472250.4 | 申请日: | 2023-04-27 |
公开(公告)号: | CN116390638A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 帅陈杨;郑月军;付云起;陈强;马燕利;马欣瑜;丁亮 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | H10N70/20 | 分类号: | H10N70/20;H10N70/00;H01S5/42;H01S5/40 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 赵小龙 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光诱导 集成 相变 射频 开关 | ||
1.一种光诱导集成相变射频开关,其特征在于,包括:多个激光器、透镜层以及无源相变射频开关;
多个激光器在同一平面间隔分布,以形成激光器阵列;
所述透镜层分别与所述激光器阵列以及所述无源相变射频开关间隔设置,以使所述激光器阵列的出射激光经所述透镜层后射入所述无源相变射频开关。
2.根据权利要求1所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述透镜层包括:准直透镜和聚焦透镜;
所述准直透镜设在所述激光器阵列以及所述聚焦透镜之间,所述聚焦透镜设在所述准直透镜以及所述无源相变射频开关之间。
3.根据权利要求2所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述聚焦透镜的出射光的面积等于所述无源相变射频开关中相变层的面积。
4.根据权利要求3所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述准直透镜以及所述聚焦透镜均为超表面透镜。
5.根据权利要求4所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述激光器阵列、所述准直透镜、所述聚焦透镜以及所述无源相变射频开关互相平行。
6.根据权利要求1至5任一项所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述无源相变射频开关包括依次相叠的:衬底层、散热层、相变层、电极层以及钝化层;
所述钝化层与所述透镜层间隔相邻。
7.根据权利要求6所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于:
所述衬底层设在所述散热层的底部,且与所述散热层的大小相同;
所述相变层设在所述散热层的顶部中央,且面积小于所述散热层;
所述电极层包括相叠的第一部分以及第二部分;所述第一部分套设在所述相变层的外侧,且外边缘与所述散热层的边缘平行;所述第一部分与所述相变层的厚度相同,以使所述第一部分的顶部以及所述相变层的顶部共面;所述第二部分的外边缘大小与所述散热层相同,且在所述相变层的顶部中央形成开口的容纳腔;
所述钝化层填充所述容纳腔并覆盖所述电极层的顶部。
8.根据权利要求1至5任一项所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述激光器为底发射垂直腔面发射激光器。
9.根据权利要求8所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述激光器包括依次相叠的:N型接触层、增透膜、N型衬底、N型DBR、量子阱有源区、氧化窗口、P型DBR以及P型接触层;
所述N型接触层以及所述增透膜均与所述透镜层间隔相邻。
10.根据权利要求1至5任一项所述的光诱导集成相变射频开关,其特征在于,所述激光器采用MOCVD生长而成。
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