[发明专利]高阶芯片去层至衬底的方法在审
| 申请号： | 202310473528.X | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116387149A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晋平;蒙夏萍 | 申请（专利权）人： | 苏试宜特（深圳）检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 屈明明 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安区新安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 去层至 衬底 方法 | ||
1.一种高阶芯片去层至衬底的方法，其特征在于，高阶芯片包括衬底以及连接于所述衬底上方依次叠加的至少三层铜制程金属层，所述方法包括步骤：
用离子蚀刻的方式将芯片减薄至顶层金属层；
将减薄后的芯片反复交替放入氢氟酸和硝酸中进行短时浸泡，直至芯片衬底上方的所有金属层和氧化层全部去除；
对浸泡后的芯片进行清洗；
对清洗后的芯片进行烘干。
2.如权利要求1所述的高阶芯片去层至衬底的方法，其特征在于，用离子蚀刻的方式将芯片减薄至顶层金属层时，将所述顶层金属层上方的钝化层和氧化层去除。
3.如权利要求1所述的高阶芯片去层至衬底的方法，其特征在于，将减薄后的芯片反复交替放入氢氟酸和硝酸中进行短时浸泡的步骤包括：
将减薄后的芯片放入氢氟酸中浸泡30s～60s；
将芯片取出放入硝酸中浸泡30s～60s；
在浸泡的过程中观察芯片衬底上方的所有金属层和氧化层是否已经全部去除：若是，则停止浸泡；若否，则重复上述步骤。
4.如权利要求1所述的高阶芯片去层至衬底的方法，其特征在于，利用水、丙酮和热硫酸放入超声波振荡器对浸泡后的芯片进行清洗。
5.如权利要求1所述的高阶芯片去层至衬底的方法，其特征在于，对清洗后的芯片进行烘干的步骤包括：
将清洗后的样品放置玻璃片上；
将所述样品表面涂满丙酮；
利用胶带覆盖所述样品表面并将所述样品粘贴至所述玻璃片上；
进行加热，直至所述胶带烤干后，将所述胶带撕掉。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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