[发明专利]一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法

权利要求书

1.一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，包括：

S1、将高纯氮化硅粉体与全氢聚硅氮烷(PHPS)充分混合，加入无水乙醇，充分搅拌均匀后，制得氮化硅基的浆料；

S2、将S1中的浆料注入薄膜流延设备，流延成型为一定的厚度的薄基板；

S3、将S2中得到的薄基板放置于干燥烘干设备中进行烘干处理；

S4、将S3处理好的氮化硅基板放置于烧结炉中，抽真空，充入氮气和/或者氨气，维持正压，升温至熔融状态，待炉内温度稳定一段时间后断电，降温处理，随炉冷却制得高纯一体化氮化硅基板。

2.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S1中，所述高纯氮化硅粉体与全氢聚硅氮烷(PHPS)的质量比为100：(80-95)，加入无水乙醇配置成固含量在30-45％的浆料。

3.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S1中，所述高纯氮化硅粉体纯度达到99.98％，粒径1-3um。

4.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S1中，所述全氢聚硅氮烷(PHPS)仅含有C、H、N、Si且熔点低于氮化硅气化临界点的聚合物，调整聚合物和有机溶剂的比例使得得到的浆料固含量维持在30-45％。

5.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S2中，薄膜流延设备要具备流延成型厚度在0.1-1mm。

6.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S3中，所述干燥烘干处理的设备设定在60-80℃的环境下烘干处理30-45小时。

7.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S4中，真空炉充入的氮气或者氨气中的一种或者多种；优选地，混合充入的时候，按照氮气：氨气体积分数为1：1充入。

8.根据权利要求1所述的一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，其特征在于，S4中，所述的烧结炉，气密性良好，炉内氮气和/或者氨气的正压维持在5-10MPa，升温至1700℃-1800℃，温升速率为1-30℃/min，保温25-35小时，随炉冷却。