[发明专利]一种电子吸引装置、磁控溅射系统及方法

权利要求书

1.一种电子吸引装置，其特征是，包括电源和相互连接的导电外壳(11)和磁铁Ⅰ(12)，所述电源用于给导电外壳(11)提供正电压。

2.如权利要求1所述的电子吸引装置，其特征是，所述电源用于给导电外壳(11)提供的正电压为10-20伏特。

3.如权利要求1所述的电子吸引装置，其特征是，所述电源的负极接地。

4.如权利要求1所述的电子吸引装置，其特征是，所述导电外壳(11)上设置有安装腔(111)和连接安装腔(111)的卡合口(112)，所述磁铁Ⅰ(12)一端伸入所述安装腔(111)内，且磁铁Ⅰ(12)的外壁与所述卡合口(112)卡合。

5.一种磁控溅射系统，其特征是，包括如权利要求1-4任一项所述的电子吸引装置(1)、真空腔体(8)以及依次设置在真空腔体(8)内的磁控装置(2)、靶材(3)和基材安装位(4)，所述电子吸引装置(1)设置在靶材(3)和基材安装位(4)之间，所述电子吸引装置(1)中磁铁Ⅰ(12)朝向靶材(3)设置，且电子吸引装置(1)中磁铁Ⅰ(12)与磁控装置(2)中相对应的磁铁Ⅱ(21)极性相异。

6.如权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征是，所述电子吸引装置(1)设置有多组，多组电子吸引装置(1)分别设置在基材安装位(4)外侧和中间。

7.如权利要求6所述的磁控溅射系统，其特征是，所述电子吸引装置(1)数量与磁控装置(2)中磁铁Ⅱ(21)的组数一致，且电子吸引装置(1)与磁铁Ⅱ(21)组一一对应。

8.如权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征是，还包括移动装置，所述电子吸引装置(1)通过移动装置设置在真空腔体(8)内。

9.如权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征是，所述基材安装位(4)上设置有基材(5)，所述基材(5)和真空腔体(8)接地。

10.一种磁控溅射方法，其特征是，使用如权利要求9所述磁控溅射系统，包括如下步骤：

在磁控溅射过程中，当电子的速度降低到一定值后，磁控装置(2)产生的磁场(6)对电子的束缚能力减弱，电子在导流电场的作用下，脱离磁场(6)束缚并在导流电场的作用下加速向电子吸引装置(1)和真空腔体(8)内壁运动；电子在加速的同时，受到电子吸引装置(1)内部磁铁Ⅰ(12)和磁控装置(2)中磁铁Ⅱ(21)共同产生的吸引磁场(7)的作用，电子沿着吸引磁场(7)的磁力线做螺线运动，沉积到电子吸引装置(1)的导电外壳(11)上。