[发明专利]一种芯片近场磁场测量系统

权利要求书

1.一种芯片近场磁场测量系统，其特征在于，包括：激光发射调制装置、光路调整模块、金刚石片、电控二维位移台、CCD相机和电磁屏蔽控制装置；

所述激光发射调制装置设置于所述光路调整模块的第一输入光路上；所述激光发射调制装置用于输出调制激光；

所述电控二维位移台设置于所述光路调整模块的第一输出光路和第二输入光路上；所述第一输出光路和所述第二输入光路重合且光信号传输的方向相反；所述电控二维位移台用于搭载被测芯片，并通过水平滑动调整被测芯片的测量区域；

所述金刚石片设置于所述电控二维位移台和所述光路调整模块之间；所述金刚石片在被测芯片通电时处于被测芯片测量区域的近场磁场范围内；所述测量区域为金刚石片在被测芯片上的投影区域；

所述CCD相机设置于所述光路调整模块的第二输出光路上；

所述电磁屏蔽控制装置分别与所述电控二维位移台、所述激光发射调制装置、所述金刚石片和所述所述CCD相机连接；所述电磁屏蔽控制装置用于控制所述电控二维位移台水平滑动；所述电磁屏蔽控制装置还用于发出量子态调控微波对所述金刚石片进行量子态微波调制；

所述光路调整模块置用于将所述调制激光反射至覆盖在被测芯片上的金刚石片；所述光路调整模块置还用于将荧光信号透射至所述CCD相机；所述荧光信号是所述金刚石片在所述调制激光、所述量子态调控微波和被测芯片测量区域的近场磁场共同作用下生成的；

所述电磁屏蔽控制装置还用于根据被测芯片上不同测量区域对应的荧光信号，确定被测芯片的近场磁场分布。

2.根据权利要求1所述的一种芯片近场磁场测量系统，其特征在于，所述激光发射调制装置包括：激光器和声光调制器；

所述激光器与所述声光调制器均与所述电磁屏蔽控制装置连接；所述激光器与所述声光调制器通过液芯光纤连接；所述声光调制器通过光纤与所述光路调整模块连接；

所述激光器用于发出激光；

所述液芯光纤用于将所述激光进行匀化处理，得到匀化处理后的激光；

所述声光调制器用于将匀化处理后的激光进行调制处理，得到调制激光。

3.根据权利要求2所述的一种芯片近场磁场测量系统，其特征在于，所述芯片近场磁场测量系统还包括：微波天线；

所述微波天线与所述金刚石片连接；

所述微波天线用于接收所述量子态调控微波。

4.根据权利要求3所述的一种芯片近场磁场测量系统，其特征在于，所述芯片近场磁场测量系统还包括：光学平板和气动隔震光学平台；

所述气动隔震光学平台用于搭载所述光学平板、所述激光器、所述电控二维位移台和所述电磁屏蔽控制装置；

所述光学平板垂直于所述气动隔震光学平台设置；所述光学平板用于搭载所述声光调制器、所述光路调整模块、所述金刚石片、所述微波天线和所述CCD相机。

5.根据权利要求4所述的一种芯片近场磁场测量系统，其特征在于，所述电磁屏蔽控制装置包括：计算机、图像采集卡和微波调控模块；

所述图像采集卡与所述CCD相机连接；所述图像采集卡用于采集被测芯片上不同测量区域对应的荧光信号图像；

所述微波调控模块分别与所述声光调制器和所述微波天线连接；

所述计算机分别与所述图像采集卡、所述微波调控模块、所述激光器和所述电控二维位移台连接；所述计算机用于控制所述激光器用于发出激光；所述计算机还用于控制所述微波调控模块将匀化处理后的激光进行调制处理，得到调制激光；所述计算机还用于控制所述微波调控模块发出量子态调控微波对所述金刚石片进行量子态微波调制；所述计算机还用于根据被测芯片上不同测量区域对应的荧光信号图像，确定被测芯片的近场磁场分布。