[发明专利]一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备

说明书

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备，该方法包括：当确定了需要清洁的目标后序腔室时，将前序腔室中的其中一个腔室作为目标前序腔室，并停止向目标前序腔室输入晶圆；当检测到在目标前序腔室中完成了工艺的晶圆，在后序腔室中也完成了工艺，并且，目标后序腔室中没有晶圆时，停止向目标后序腔室输入晶圆，并对目标前序腔室以及目标后序腔室进行清洁。通过同时对前序腔室和后序腔室执行自动清洁，可以避免晶圆在前序腔室和后序腔室之间排队等待，从而可以避免腔室清洁导致晶圆加工效果下降。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备。

背景技术

在晶圆制程过程中，产生的副产物会沉积在腔室壁上，污染腔室，影响晶圆加工；而腔室通过执行自动清洁功能，可部分恢复腔室环境，降低开腔维护的频率，保证晶圆正常加工时间和产量。

现有技术中，对腔室进行自动清洁的方法为：当某一腔室的膜厚累积量达到特定值时，即对该腔室进行自动清洁，其中，膜厚累积量指腔室内沉积物累积的厚度。而当某一腔室进行自动清洁时，晶圆不能进入该腔室执行工艺，需要等待该腔室完成自动清洁才能进入完成工艺，或者排队进入其它腔室完成工艺。该方法可能会导致晶圆在腔室之间排队等待，影响晶圆的加工效果。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备。

为了解决上述问题，第一方面，本发明实施例公开了一种半导体工艺设备的腔室清洁方法，所述腔室包括前序腔室和后序腔室，其特征在于，所述方法包括：

从所述后序腔室中确定需要清洁的目标后序腔室；

确定所述目标后序腔室后，将所述前序腔室中的其中一个腔室作为目标前序腔室，并停止向所述目标前序腔室输入晶圆；

检测在所述目标前序腔室中完成了工艺的晶圆，在所述后序腔室中是否完成了工艺；

若在所述目标前序腔室中完成了工艺的晶圆，在所述后序腔室中完成了工艺，则检测所述目标后序腔室中是否有晶圆；

若所述目标后序腔室中没有晶圆，则停止向所述目标后序腔室输入晶圆，并对所述目标前序腔室以及所述目标后序腔室进行清洁。

可选地，所述将所述前序腔室中的其中一个腔室作为目标前序腔室，包括：

从所述前序腔室中，查找未与所述后序腔室建立组合关系的前序腔室；

将未与所述后序腔室建立组合关系的前序腔室中，膜厚累积量最大的前序腔室作为目标前序腔室。

可选地，所述方法还包括：

当确定目标前序腔室时，对所述目标前序腔室与所述目标后序腔室建立组合关系。

可选地，所述方法还包括：

当所述目标后序腔室完成清洁时，解除所述目标前序腔室与所述目标后序腔室的组合关系。

可选地，所述停止向所述目标前序腔室输入晶圆，包括：

检测所述目标前序腔室中是否有晶圆；

若所述目标前序腔室中没有晶圆，则停止向所述目标前序腔室输入晶圆；

若所述目标前序腔室中有晶圆，则等待所述目标前序腔室中的晶圆在所述目标前序腔室中完成工艺并离开所述目标前序腔室后，停止向所述目标前序腔室输入晶圆。

可选地，所述检测在所述目标前序腔室中完成了工艺的晶圆，在所述后序腔室中是否完成了工艺，包括：