[发明专利]一种晶圆离心式清洗工艺及其清洗设备在审
申请号: | 202310480375.1 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116487249A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 俞辉;韩五静;王晨 | 申请(专利权)人: | 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 244000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离心 清洗 工艺 及其 设备 | ||
1.一种晶圆离心式清洗工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1、先移动喷淋手臂至晶圆中心点停止,之后控制晶圆旋转,通过喷嘴一喷出臭氧水,预定时间后喷嘴一、喷嘴二交替喷出臭氧水;
S2、待S1中臭氧水喷淋完毕后,继续控制晶圆旋转,通过喷嘴三喷出酸性药液;
S3、待S2中酸洗药液喷淋完毕后,通过喷嘴四喷出中性药液;
S4、重复S1-S3步骤2-4次;
S5、继续控制晶圆旋转,再次通过喷嘴一喷出臭氧水,预定时间后喷嘴一、喷嘴二交替喷出臭氧水;
S6、 待臭氧水喷淋完毕后,继续控制晶圆旋转,同时喷嘴五喷出干燥气体,使晶圆表面完成干燥。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆离心式清洗工艺,其特征在于,步骤S1以及步骤S5中臭氧水的浓度大于15mg/L。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆离心式清洗工艺,其特征在于,其中酸洗药液由酸洗溶液和纯化水混合而成,其中酸洗溶液体积分数小于5%。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆离心式清洗工艺,其特征在于,步骤S1以及步骤S5中控制晶圆安装第一速度转动,步骤S3中控制晶圆安装第二速度转动,步骤S2中控制晶圆安装第三速度转动,其中第一速度大于第二速度,第二速度大于第三速度。
5.一种晶圆离心式清洗设备,其特征在于,包括:
底座(100),上端设置有清洗槽(110);
驱动装置(200),设置于清洗槽(110)内,用于控制晶圆(800)定向转动;
喷淋手臂(300),设置于清洗槽(110)内,且位于驱动装置(200)一侧,具有安装摆臂(330),所述安装摆臂(330)位于驱动装置(200)上方;
喷淋组件(400),设置于安装摆臂(330)下端,用于喷出液体对晶圆(800)进行清洗,包括依次设置的喷嘴二(410)、喷嘴三(420)、喷嘴一(430)以及喷嘴四(440);其中喷嘴一(430)以及喷嘴二(410)之间具有预定间距;
干燥组件(700),用于向晶圆(800)表面喷出干燥气体;
保护装置(500),安装于喷淋组件(400)下端,形成与喷嘴数量相对应的保护腔室,用于在喷淋的过程中使不同作用的喷嘴相互隔绝。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆离心式清洗设备,其特征在于,所述安装摆臂(330)表面设置有位控装置(600),其中通过位控装置(600)控制喷嘴二(410)沿着安装摆臂(330)线性移动处于不同的位置。
7.根据权利要求5所述的一种晶圆离心式清洗设备,其特征在于,所述保护装置(500)包括与喷嘴二(410)位置相对应的第一保护组件(510)、与喷嘴三(420)位置相对应的第二保护组件(520)、与喷嘴一(430)位置相对应的第三保护组件(530)以及与喷嘴四(440)位置相对应的第四保护组件(540),所述保护装置(500)还包括导轨(550)以及控制装置,多个所述保护组件与导轨(550)相配合,且可沿着垂直于安装摆臂(330)方向线性移动。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆离心式清洗设备,其特征在于,所述第一保护组件(510)包括保护壳一(511)以及导通开口一(512),所述第三保护组件(530)包括保护壳三(531)以及导通开口三(532),所述保护壳一(511)以及保护壳三(531)之间通过连接工件一固定连接,所述第一保护组件(510)内部设置有控制组件一(513)用于控制第一保护组件(510)以及第三保护组件(530)线性移动,其中导通开口一(512)以及导通开口三(532)位于安装摆臂(330)的同一侧。
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