[发明专利]一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法

权利要求书

1.一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)基底材料进行表面洁净和光滑预处理

2)镀膜

在预处理后的基底材料上沉积绝缘薄膜层；

3)激光选区除膜

根据待沉积图案，利用超快激光在基底材料上进行图形化选区，剥蚀图形化选区的绝缘薄膜层；

4)电沉积

将剥蚀后的基底材料置于电化学沉积环境中进行电镀，在基底材料的选区上沉积出与待沉积图案相符的三维微结构。

2.根据权利要求1所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤1)中，预处理包括抛光和清洗。

3.根据权利要求2所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤1)中，基底材料为导体或半导体。

4.根据权利要求3所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤2)中，采用真空蒸镀、磁控溅射活气相沉积形成绝缘薄膜层。

5.根据权利要求4所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤4)中，将选区剥蚀后的基底材料置于电镀液中完成电沉积。

6.根据权利要求5所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤4)中，还向电镀液中加入抑制剂。

7.根据权利要求6所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤4)中，直至电镀液中的金属粒子填满基底材料上的激光选区，电沉积结束。

8.根据权利要求1-7之任一所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤4)后还包括步骤5)，

5)重复步骤2)～步骤4)，直至在基底材料上沉积出符合要求的同种材料立体图案。

9.根据权利要求1-7之任一所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤4)后还包括步骤5)，

5)改变电镀液的成分，重复步骤2)～步骤4)，至于在基底材料上沉积出符合要求的多种不同层状材料组成的立体图案。

10.根据权利要求8所述的基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，其特征在于，所述步骤5)后还要去除沉积后基底材料上多余的绝缘薄膜层。