[发明专利]智能功率模块和具有其的电子设备

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

基板，所述基板设有彼此间隔的导电区和跳线区；

框架，所述框架包括的控制侧框架、功率侧框架和连杆，所述控制侧框架和所述功率侧框架分设于所述基板的相对两侧，所述导电区和所述跳线区位于所述功率侧框架和所述控制侧框架之间，所述跳线区相对于所述功率侧框架更加邻近所述控制侧框架设置且与所述控制侧框架的驱动芯片电连接，所述连杆与所述基板相连；

逆导型功率芯片，所述逆导型功率芯片安装于所述导电区且位于所述连杆的背向所述控制侧框架的一侧，所述逆导型功率芯片分别与所述跳线区和所述功率侧框架电连接。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述控制侧框架和所述功率侧框架在第一方向上分设于所述基板的相对两侧；

所述逆导型功率芯片为多个且沿与所述第一方向垂直的第二方向间隔排布，所述基板设有多个所述导电区和多个所述跳线区，每个所述导电区设有至少一个所述逆导型功率芯片，多个所述逆导型功率芯片与多个跳线区一一对应地连接；

所述连杆连接于所述基板在所述第二方向上相对的两侧。

3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，多个所述逆导型功率芯片包括低压逆导型功率芯片和高压逆导型功率芯片；

多个所述导电区包括低压导电区和高压导电区，所述低压逆导型功率芯片安装于所述低压导电区，所述高压逆导型功率芯片安装于所述高压导电区；

多个所述跳线区包括低压跳线区和高压跳线区。

4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述低压跳线区的一端靠近控制侧框架的驱动芯片，所述低压跳线区的另一端靠近所述低压逆导型功率芯片；

其中，所述低压跳线区的所述另一端与所述连杆在所述第二方向间隔布置。

5.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述低压跳线区包括：

横向段，所述横向段沿所述第二方向延伸且位于所述低压导电区和所述控制侧框架之间，所述横向段与所述控制侧框架电连接；

竖向段，所述竖向段沿所述第一方向延伸且在所述第二方向上位于所述低压导电区的一侧，所述竖向段与所述横向段连接，所述低压逆导型功率芯片与所述竖向段电连接。

6.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述低压跳线区的朝向所述低压逆导型功率芯片的一端与所述连杆的朝向所述低压逆导型功率芯片的一侧平齐；或者

所述低压跳线区相对于所述连杆更靠近所述低压逆导型功率芯片。

7.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述低压导电区在所述第二方向上背向所述连杆的一侧设有第一缺口，所述第一缺口的开口方向朝向所述控制侧框架，所述低压跳线区至少一部分布置于所述第一缺口。

8.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述高压跳线区包括：

发射极跳线区和栅极跳线区，所述发射极跳线区和所述栅极跳线区均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布，所述发射极跳线区的一端和所述栅极跳线区的一端分别与所述控制侧框架电连接，所述发射极跳线区的另一端与所述高压逆导型功率芯片的发射极电连接，所述栅极跳线区的另一端与所述高压逆导型功率芯片的栅极电连接。

9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述发射极跳线区的朝向所述高压逆导型功率芯片的一端、所述栅极跳线区的朝向所述高压逆导型功率芯片的一端与所述连杆的朝向所述高压逆导型功率芯片的一侧平齐；或者

所述发射极跳线区相对于所述连杆更靠近所述高压逆导型功率芯片，所述栅极跳线区相对于所述连杆更靠近所述高压逆导型功率芯片。

10.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述高压导电区的朝向所述控制侧框架的一侧设有第二缺口，所述发射极跳线区和所述栅极跳线区布置于所述第二缺口。