[发明专利]动态随机存取存储器单元电路及其写入方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器单元电路，包括：

写入晶体管，其栅极连接到写入字线，其第一源/漏极连接到写入位线，并且其第二源/漏极连接到存储节点；

存储晶体管，其栅极连接到所述存储节点并且其第一源/漏极连接到源极线；以及

读取晶体管，其栅极连接到读取字线，其第一源/漏极连接到所述存储晶体管的第二源/漏极，并且其第二源/漏极连接到读取位线，

其中，在写入操作中，所述写入字线在低于地电压的第一电压和高于或等于电源电压的第二电压操作。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，在写入操作中，所述写入字线在所述第一电压、所述第二电压以及所述第一电压和所述第二电压之间的第三电压操作。

3.根据权利要求1或2所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述写入晶体管是P型晶体管，并且所述存储晶体管和所述读取晶体管是N型晶体管。

4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述第一电压低于所述写入晶体管的阈值电压并且高于所述写入晶体管的阈值电压的两倍，以及

其中，所述第二电压低于或等于所述电源电压的两倍。

5.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述第三电压低于电源电压的一半并且高于所述写入晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，在写入操作中，当所述写入字线在所述第一电压操作时，所述源极线和所述读取字线在电源电压操作，并且当所述写入字线不在所述第一电压操作时，所述源极线和所述读取字线在地电压操作。

7.根据权利要求1或2所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述写入晶体管、所述存储晶体管和所述读取晶体管均为N型晶体管。

8.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述第一电压根据其与所述第二电压之间的电压差来确定以避免所述写入晶体管的栅极被击穿，以及

其中，所述第二电压低于或等于所述电源电压的两倍。

9.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，所述第三电压低于或等于所述第二电压并且高于或等于电源电压的一半。

10.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器单元电路，

其中，在写入操作中，当所述写入字线在所述第三电压操作时，所述源极线和所述读取字线在电源电压操作，并且当所述写入字线不在所述第三电压操作时，所述源极线和所述读取字线在地电压操作。

11.一种动态随机存取存储器单元电路的写入方法，其中所述动态随机存取存储器单元电路包括：

P型写入晶体管，其栅极连接到写入字线，其第一源/漏极连接到写入位线，并且其第二源/漏极连接到存储节点；

N型存储晶体管，其栅极连接到所述存储节点并且其第一源/漏极连接到源极线；以及

N型读取晶体管，其栅极连接到读取字线，其第一源/漏极连接到所述存储晶体管的第二源/漏极，并且其第二源/漏极连接到读取位线，

所述写入方法依次包括：

写入步骤，其中所述写入字线从高于或等于电源电压的第二电压下拉至低于地电压的第一电压；以及

存储步骤，其中所述写入字线从所述第一电压上拉至所述第二电压。

12.根据权利要求11所述的写入方法，还包括：

所述写入步骤和所述存储步骤之间的增强步骤，其中所述写入字线从所述写入步骤中的所述第一电压上拉至所述第一电压和所述第二电压之间的第三电压，

其中，在所述存储步骤中，所述写入字线从所述增强步骤中的所述第三电压上拉至所述第二电压。