[发明专利]微泡清洗液及使用该微泡清洗液的方法

权利要求书

1.微泡清洗液，所述微泡清洗液由纯水和洁净气体制备得到，其特征在于，所述微泡清洗液内分布有表面携带电荷的微泡，所述微泡的直径范围为0.05um-100um，且所述微泡的半衰期≥30s。

2.根据权利要求1所述的微泡清洗液，其特征在于，所述微泡清洗液的制备方法包括：向纯水内送入洁净气体，加压使所述洁净气体强制溶解于液体中，将所述液体释放后得到含有微泡的微泡清洗液；

其中，所述洁净气体的气体压力X为0.006Mpa≤X≤0.025Mpa，所述洁净气体的气体流量Y为0.6L/min≤Y≤1.7L/min，所述液体的出水压力为0.3Mpa≤Z≤0.6Mpa。

3.根据权利要求1或2所述的微泡清洗液，其特征在于，所述洁净气体为臭氧、氢气、洁净空气、氮气或者氧气。

4.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅芯清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：依次使用脱脂剂对硅芯进行预清洗、使用纯水对所述硅芯进行至少一次漂洗、使用混酸溶液对所述硅芯进行刻蚀、使用纯水对所述硅芯进行漂洗、使用酸液对所述硅芯进行酸洗、以及使用所述微泡清洗液对所述硅芯进行至少一次浸泡清洗，最后对所述硅芯进行脱水烘干。

5.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：使用所述微泡清洗液对硅片进行若干次喷淋清洗；在所述硅片喷淋清洗的过程中，使用毛刷刷洗所述硅片；最后使用纯水对所述硅片进行喷淋清洗。

6.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅料清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：依次使用纯水对所述硅料进行漂洗、使用所述微泡清洗液对所述硅料进行浸泡清洗、对所述硅料进行水切、使用混酸溶液对所述硅料进行刻蚀、使用纯水对所述硅料进行漂洗、使用酸液对所述硅料进行酸洗、使用混酸溶液对所述硅料进行刻蚀、使用纯水对所述硅料进行漂洗、以及再次使用所述微泡清洗液对所述硅料进行浸泡清洗，最后对所述硅料进行脱水烘干。

7.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的RCA清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：使用酸液对硅片进行刻蚀之后，使用所述微泡清洗液对所述硅片进行浸泡清洗、以及使用含有盐酸和双氧水的混合液对所述硅片进行清洗。

8.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅片吸杂前清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：依次使用所述微泡清洗液对所述硅片进行浸泡清洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗、使用酸液对所述硅片进行酸洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗、使用酸液对所述硅片进行酸洗、以及使用纯水对所述硅片进行漂洗，最后对所述硅片进行脱水烘干。

9.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅片制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：依次使用碱性溶液对硅片进行至少一次浸泡清洗、使用处理液对硅片进行制绒、使用纯水对硅片进行漂洗、使用碱洗溶液对所述硅片表面的所述处理液进行清洗、使用混酸对所述硅片进行酸洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗，以及使用盛有纯水溶液的慢提槽对所述硅片进行预脱水，最后对所述硅片进行脱水烘干；对所述硅片进行浸泡清洗的碱性溶液、对所述硅片表面的处理液进行清洗的碱洗溶液以及所述慢提槽盛装的纯水溶液之中的至少一种溶液采用所述微泡清洗液替代。

10.使用权利要求1至3任一项所述微泡清洗液的硅片碱抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：依次使用所述微泡清洗液对硅片进行至少一次浸泡清洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗、使用碱液对所述硅片进行碱抛光、使用纯水对所述硅片进行漂洗、使用碱液对所述硅片进行清洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗、使用混酸溶液对所述硅片进行酸洗、使用纯水对所述硅片进行漂洗、以及使用慢提槽对所述硅片进行预脱水，最后对所述硅片进行脱水烘干。