[发明专利]一种电路故障监控方法及故障检测芯片在审
申请号: | 202310496911.7 | 申请日: | 2023-05-05 |
公开(公告)号: | CN116203402A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 包冲;张东伟;李壮;李介民;梁学峰;许海稼;郑勋 | 申请(专利权)人: | 北京国科环宇科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 阮改燕 |
地址: | 100086 北京市海淀区知春路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 故障 监控 方法 检测 芯片 | ||
本公开涉及电流监控技术领域,尤其涉及一种电路故障监控方法及故障检测芯片。该电路故障监控方法包括,获取待测模块的检测电流;确定待测模块当前的工作状态对应的电流阈值,和/或,确定待测模块的检测电流的升高值;确定检测电流大于当前的工作状态对应的电流阈值,和/或,确定检测电流的升高值大于预设升高阈值,执行待测模块的故障修复;其中,待测模块在不同工作状态下对应不同的电流阈值。采用上述方法不仅解决了待测模块动态功耗变化区间很大时无法通过设置电流阈值进行故障监控的问题,还提高了对电流故障监控的精确度,避免了对电流故障的监控遗漏及对电流故障的虚警。
技术领域
本公开涉及电流监控技术领域,尤其涉及一种电路故障监控方法及故障检测芯片。
背景技术
电路闩锁是CMOS电路中的严重故障模式。电路闩锁一般是由SEL效应导致的,在辐射环境中,高能粒子会将大量电荷沉积到主体衬底上。高能粒子通过集成电路时所沉积的静电瞬间出现,会立即在皮秒时间尺度上产生大的位移电流,并伴随着电势从初始逻辑状态的快速漂移。粒子的能量沉积通常会导致二极管正向偏置,随后是大的瞬态注入电流,这会加剧瞬态翻转,并可能导致CMOS电路闩锁。当发生CMOS电路闩锁时,在最好的情况下,闩锁会导致软故障,并导致数据或逻辑状态丢失;在最坏的情况下,闩锁会导致破坏性的硬故障,当串联在电源和地之间的MOS管同时导通时,电源和地之间的电阻变得很小,从而产生很大电流,导致器件局部温度升高,器件永久性损坏。随着隔离宽度的缩小,集成电路的器件结构变得更容易受到这种SEL故障的影响。
目前,为了应对SEL故障的影响,普遍采用对被检测芯片进行电流监测的方式,并通过设置电流阈值以消除SEL故障。对于电路规模小、功能单一的各类芯片,动态功耗变化较小,工作过程中电流变化不大,采用事先测量的方法,比较容易确定其发生SEL故障时的电流阈值。但高集成度芯片的动态功耗变化非常大,尤其是SOC芯片,功能模块多,工作模式复杂,不同时刻会有不同的功能模块处于活跃状态,所以,其动态功耗变化区间很大。不同工况下,其最高功耗与最低功耗之间可能会有几倍甚至几十倍的差异。对于一些具有低功耗设计的芯片,这种问题将更加突出。对于这类芯片,简单设置电流阈值的方法变得不可行,也就是通过设置电流阈值已经无法满足对SEL故障的精准监控。
发明内容
为了解决上述技术问题,本公开提供了一种电路故障监控方法及故障检测芯片,以实现对电路故障的精准监控。
第一方面,本公开提供了一种电路故障监控方法,方法包括:
获取所述待测模块的检测电流;
确定待测模块当前的工作状态对应的电流阈值,和/或,确定所述待测模块的检测电流的升高值;
确定所述检测电流大于当前的工作状态对应的电流阈值,和/或,确定检测电流的升高值大于预设升高阈值,执行待测模块的故障修复;
其中,所述待测模块在不同工作状态下对应不同的电流阈值。
可选地,所述确定待测模块当前的工作状态对应的电流阈值,包括:
确定所述待测模块当前的工作温度和/或当前的工作模式对应的电流阈值;
其中,所述工作状态包括工作温度和/或工作模式,所述待测模块在不同工作温度下以及不同模式下对应不同的电流阈值。
可选地,所述确定所述待测模块当前的工作温度对应的电流阈值,包括:
确定所述待测模块的供电单元为一个,获取所述待测模块在不同工作温度下的电流阈值;
基于所述不同工作温度下的电流阈值确定所述当前的工作温度对应的电流阈值。
可选地,所述确定所述待测模块当前的工作模式对应的电流阈值,包括:
确定所述待测模块的供电单元为多个,获取所述待测模块在不同工作模式下的电流阈值;
基于所述不同工作模式下的电流阈值确定所述当前的工作模式对应的电流阈值。
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