[发明专利]电容传感器重构方法及装置、芯片、电子设备和存储介质

权利要求书

1.一种电容传感器重构方法，其特征在于，包括：

将第一电容区域划分成多个均等的第一区域；

重组所述第一区域，构成第二电容区域，所述第二电容区域的电容传感器的数量在横向和纵向上的第一比值，与，所述第二电容区域的长度在横向和纵向上的第二比值相等；

根据所述第一电容区域中第一电容传感器的电容值，确定所述第二电容区域中第二电容传感器的电容值；

根据所述第二电容传感器的电容值，对所述第二电容区域的电容数据进行处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重组所述第一区域，构成第二电容区域，包括：

根据所述第一电容区域的电容数量在横向和纵向上的第三比值、所述第二比值，确定电容重构方向；

根据所述第三比值、所述第二比值，确定所述第二电容区域中单一的电容传感器包含的第一区域的第一数量，以及所述第一电容区域中单一的电容传感器包含的第一区域的第二数量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三比值、所述第二比值，确定所述第一数量，以及所述第二数量包括：

根据非电容重构方向上第一电容区域包含电容传感器的第三数量、所述第二比值，确定电容重构方向上第二电容区域包含电容传感器的第四数量，所述非电容重构方向在电容传感器平面上垂直于所述电容重构方向；

根据在所述电容重构方向上所述第一区域的第五数量、电容重构方向上第一电容区域包含电容传感器的第六数量，确定出所述第一数量，所述第五数量为所述第四数量，以及所述第六数量的最小公倍数；

根据所述第五数量、所述第四数量，确定所述第二数量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电容区域中第一电容传感器的电容值，确定所述第二电容区域中第二电容传感器的电容值，包括：

根据所述第一数量、所述第二数量，确定至少一个第三电容传感器包含的第二区域的数量，所述第二区域为在同一所述第二电容传感器中的第一区域，所述第三电容传感器为包含所述第二区域的第一电容传感器；

根据所述第三电容传感器的电容值、所述第一数量、所述第二数量、所述至少一个第三电容传感器包含的第二区域的数量，确定各所述第二电容传感器的电容值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一数量、所述第二数量，确定至少一个第三电容传感器包含的第二区域的数量，包括：

根据以下公式，确定与当前第二电容传感器同行的第三电容传感器中的所述第二区域的第七数量、以及所述当前第二电容传感器所在行的上一行的第三电容传感器中的所述第二区域的第八数量；

H＝B-V；

其中，m表示所述当前第二电容传感器所在的行号，B表示所述第一数量，A表示所述第二数量，U表示所述当前第二电容传感器所在的行的上一行的行号，V表示所述第七数量，H表示所述第八数量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三电容传感器的电容值、所述第一数量、所述第二数量、所述至少一个第三电容传感器包含的第二区域的数量，确定各所述第二电容传感器的电容值，包括：

根据与所述当前第二电容传感器同行的第三电容传感器的电容值和所述第二数量，确定与所述当前第二电容传感器同行的第三电容传感器中的单一第一区域的第一电容值；

根据所述当前第二电容传感器所在行的上一行的第三电容传感器的电容值和所述第二数量，确定所述当前第二电容传感器所在行的上一行的第三电容传感器中的单一第一区域的第二电容值；

根据以下公式，确定出所述当前第二电容传感器的电容值；

R＝V×a+H×b；

其中，R表示所述当前第二电容传感器的电容值，其中，V表示所述第七数量，H表示所述第八数量，a表示所述第一电容值，b表示所述第二电容值。