[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202310508153.6 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN116387326A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 戴名柔;蔡嘉豪;蔡明志 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孙静;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
本揭露的实施例提供一种电子装置,尤其是连接结构以及包括所述连接结构的显示装置。所述连接结构包括,第一导线、第二导线以及绝缘层。绝缘层设置于第一导线与第二导线之间。所述绝缘层具有被侧墙所环绕的通孔。第二导线的连接部通过通孔电性连接第一导线。第二导线的连接部截止于通孔的侧墙上。
本发明是2020年10月12日所提出的申请号为202011083650.9、发明名称为《连接结构及包括其的显示装置》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置,尤其涉及一种连接结构及包括其连接结构的显示装置。
背景技术
随着电子装置的应用持续的增广,显示技术的发展也日新月异。随着不同的应用条件,对于电子装置的显示质量的要求越来越高,进而电子装置面临不同的问题。因此,电子装置的研发需持续更新与调整。
发明内容
本揭露是针对一种连接结构及包括其连接结构的显示装置,其具有较佳的显示质量。
根据本揭露的实施例,连接结构包括第一导线、第二导线以及绝缘层。绝缘层设置于第一导线与第二导线之间,且绝缘层具有被侧墙所环绕的通孔。第二导线的连接部通过通孔以电性连接第一导线。第二导线的连接部截止于通孔的侧墙上。
根据本揭露的实施例,显示装置包括上述的连接结构。
综上所述,在本揭露实施例的连接结构及包括其的显示装置中,通过连接结构的第二导线的连接部截止在绝缘层的通孔的侧墙上。因此,相邻子像素的第二导线可不易彼此接触,或可降低电性异常(如短路)的产生。此外,第二导线如为像素电极时,其具有较佳的图案化效果。在上述的设置下,像素电极的尺寸可以维持适当的大小或具有较佳的电性质量。包含连接结构的显示装置可具有较佳的电性质量,或具有较佳的显示质量。
附图说明
图1为本揭露一实施例的显示装置的局部放大上视示意图;
图2为图1的剖面线A-A’的剖面示意图;
图3为本揭露另一实施例的显示装置的剖面示意图;
图4为本揭露另一实施例的显示装置的局部放大上视示意图;
图5A为本揭露另一实施例的第二导线的局部放大示意图;
图5B为本揭露再一实施例的第二导线的局部放大示意图;
图6为图4的剖面线B-B’的剖面示意图。
附图标记说明
10、10A、10B、10C:显示装置;
110:基板;
120、130、140、150、150’、160、160’、170:绝缘层;
162:侧墙;
200:连接结构;
210:第一导线;
220:第二导线;
222:连接部;
222’:外边缘;
224:主体部;
A-A’、B-B’:剖面线;
D:漏极;
DL:第二信号线;
CE:共用电极;
G:栅极;
H1、H1’、H2、H2’:高度;
HS:高位面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的