[发明专利]用于初始化电阻式存储装置的方法和装置

权利要求书

1.一种用于初始化电阻式存储装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在一电阻式随机存取存储单元的一金属氧化物材料上施加第一电压以形成一初始细丝，其中，所述第一电压在限流成形操作中施加在所述金属氧化物材料上；以及

执行多个循环以调节所述初始细丝，其中所述多个循环中的每一个包括：

执行一系列多个第一操作，以在所述金属氧化物材料上施加具有第一极性的第二电压，其中所述第一操作是使用前设置操作；

执行一系列多个第二操作，以在所述金属氧化物材料上施加具有第二极性的第三电压，其中所述第二操作是使用前重置操作；

验证所述第一操作或所述第二操作中的至少一个；以及

当所述第一操作或所述第二操作中的所述至少一个失败时，执行至少一个附加循环以调节所述初始细丝，其中所述限流成形操作、所述使用前设置操作和所述使用前重置操作在所述电阻式随机存取存储单元的第一次使用之前执行。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物材料是二氧化铪或氧化钛中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储装置包括多个位线，所述电阻式随机存取存储单元联接到所述多个位线中的一个位线，其中所述方法还包括在施加所述第一电压期间激活所述多个位线中的所述一个位线和一个或多个附加位线。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储装置包括多个字线，所述电阻式随机存取存储单元联接到所述多个字线中的一个字线，其中所述方法还包括在施加所述第一电压期间激活所述多个字线中的所述一个字线和一个或多个附加字线。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储装置包括多个位线，所述电阻式随机存取存储单元联接到所述多个位线中的一个位线，所述一个或多个附加字线连接至位于与所述电阻式随机存取存储单元相连的所述一个位线上的电阻式随机存取存储单元。

6.一种装置，其特征在于，包括：

并行初始化电路；以及

一电阻式随机存取存储单元，联接到所述并行初始化电路，所述电阻式随机存取存储单元包括一金属氧化物材料，其中所述并行初始化电路用于执行：

在所述电阻式随机存取存储单元的所述金属氧化物材料上施加第一电压以形成具有第一电流的初始细丝，其中，所述第一电压在限流成形操作中施加在所述金属氧化物材料上；并且

执行多个细丝强化循环以强化所述初始细丝的细丝特性，从而获得具有比所述初始细丝更强的细丝特性的细丝，其中所述多个细丝强化循环中的每一个包括：

一系列多个第一操作，用于在所述金属氧化物材料上施加具有第一极性的第二电压，其中所述第一操作是使用前设置操作；以及

一系列多个第二操作，用于在所述金属氧化物材料上施加具有第二极性的第三电压，其中所述第二操作是使用前重置操作，

其中当将所述第一电压施加到所述金属氧化物材料时穿过所述金属氧化物材料的所述第一电流被限制为小于当将所述第二电压施加到所述金属氧化物材料时穿过所述金属氧化物材料的所述第二电流限值；验证所述第一操作或所述第二操作中的至少一个；以及当所述第一操作或所述第二操作中的所述至少一个失败时，执行至少一个附加循环以调节所述初始细丝，其中所述限流成形操作、所述使用前设置操作和所述使用前重置操作在所述电阻式随机存取存储单元的第一次使用之前执行。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述金属氧化物材料是二氧化铪或氧化钛中的至少一种。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括多个位线，其中所述电阻式随机存取存储单元经由所述并行初始化电路联接到所述多个位线中的一个位线，其中，所述并行初始化电路在所述金属氧化物材料上施加所述第一电压的期间激活所述多个位线中的所述一个位线和一个或多个附加位线。