[发明专利]一种含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，自下而上依次包括：透明导电玻璃基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、金属电极，其特征在于，所述钙钛矿层是采用含氮环状分子钝化得到。

2.根据权利要求1所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述含氮环状分子为1,4,7,10-四氮杂环十二烷、1,4,8,11-四氮杂环十四烷、1,4,8,12-四氮杂环十五烷、1,5,9-三氮杂环十二烷、1,5-二氮杂环辛烷、1,4,7,10,13-五氮杂环十五烷中的一种。

3.根据权利要求1所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，采用体相掺杂的方法钝化钙钛矿层:将含氮环状分子溶解在钙钛矿前驱体溶液中，制备含氮环状分子修饰的钙钛矿前驱体溶液，将所述含氮环状分子修饰的钙钛矿前驱体溶液旋涂在电子传输层上，热处理后，制备所述钙钛矿层。

4.根据权利要求3所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，含氮环状分子的掺杂浓度为0.01-0.03mg/mL。

5.根据权利要求1所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，采用界面修饰的方法钝化钙钛矿层：将含氮环状分子溶解在异丙醇中，然后将含氮环状分子的异丙醇溶液旋涂在钙钛矿薄膜的一侧，得到含氮环状分子界面修饰的钙钛矿层。

6.根据权利要求5所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，利用钙钛矿前驱体溶液在所述电子传输层表面先形成钙钛矿薄膜，将含氮环状分子的异丙醇溶液旋涂在所述钙钛矿薄膜表面，形成含氮环状分子的修饰层，即制得含氮环状分子界面修饰的钙钛矿层；

或者，将含氮环状分子的异丙醇溶液旋涂在所述电子传输层表面先形成含氮环状分子的修饰层，再将钙钛矿前驱体溶液旋涂在所述含氮环状分子的修饰层表面，形成钙钛矿薄膜，即制得含氮环状分子界面修饰的钙钛矿层。

7.根据权利要求3或6所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，钙钛矿前驱体为AX和BX₂型化合物，其中A为CH₃NH₃⁺、HC(＝NH)NH₂⁺、Cs⁺、Rb⁺、K⁺中的一种或多种，B为Pb²⁺、Sn²⁺中的一种或多种，X为卤素离子中的一种或多种。

8.根据权利要求3或6所述的含氮环状分子修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，钙钛矿前驱体溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、2-巯基乙醇中的一种或多种。