[发明专利]具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备有效

专利信息
申请号: 202310519309.0 申请日: 2023-05-10
公开(公告)号: CN116240528B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 刘亚 申请(专利权)人: 无锡金源半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/46 分类号: C23C16/46;C23C16/52
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 谭云
地址: 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 加热 盘调平 功能 薄膜 沉积 设备
【说明书】:

发明涉及薄膜沉积设备技术领域,公开了具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备,包括:反应室、加热盘、套筒和调平机构,反应室内设有反应腔,加热盘底面设有连接轴,连接轴适于插入密封套内。套筒设置在反应室的底部,套筒上开设多个调节孔。调平机构包括:调节轴、调节盘和调节件,调节轴穿入贯穿孔,调节轴的连接端与加热盘连接,调节轴的调节端设有调节盘。调节件上设有调节部,调节部用于支撑调节盘,调节件适于沿调节孔的轴向方向移动使得加热盘调平。本发明通过移动调节件使调节件沿调节孔的轴向方向移动,带动调节轴移动,使得倾斜的加热盘表面调整为水平状态,使晶圆放置在水平的加热盘表面进行薄膜沉积,保证晶圆沉积质量。

技术领域

本发明涉及薄膜沉积设备技术领域,具体涉及具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备。

背景技术

薄膜沉积是晶圆加工制造中重要的一环,其通过薄膜沉积设备在晶圆表面形成薄膜。化学气相薄膜沉积设备是其中的一种,其通过将晶圆放置在反应腔室内,将反应气体通过气体分配盘进入反应腔,并使用射频装置将反应气体等离子化,反应腔内的加热盘提供晶圆反应所需的温度,使晶圆上沉积薄膜。

现有技术中,气体分配盘位于晶圆的上方,从上向下对承载在加热盘上的晶圆喷出反应气体,若加热盘的上表面不水平,则会导致晶圆的上表面不平整,摆放不平的晶圆在沉积过后,其表面的薄膜是不均匀的,无疑,这样的晶圆是失败品,因此,保证加热盘上表面水平至关重要。

加热盘包括圆盘以及圆盘底部的空心轴,圆盘内部预埋有发热用的电阻丝,电阻丝从空心轴的底端引出。目前,反应腔的底部中心处设置有直径远大于空心轴的圆孔,空心轴的底端伸入圆孔内,在圆孔的周边采用一组治具固定空心轴的底部,从而固定加热盘,然而,加热盘的规格与晶圆的规格息息相关,加热不同的晶圆需要采用不同的加热盘,即不同的加热盘其形状尺寸均不相同。因此,当采用一组治具来固定装夹加热盘时,一方面,各个治具在组装并安装加热盘后,加热盘的上表面水平度是固定的,当加热盘上表面略微倾斜时,无法改变;另一方面,无法做到适应不同规格的加热盘。加热盘上表面调平存在难点。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备,以解决晶圆放置在倾斜的加热盘表面进行薄膜沉积,导致晶圆薄膜沉积不均匀的问题。

本发明提供了一种具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备,包括:

反应室,内设有反应腔,所述反应室底部设有中心通孔,所述中心通孔中安装有密封套;

加热盘,底面设有连接轴,所述连接轴适于插入所述密封套内并延伸出所述密封套;

套筒,一端固设于所述反应室的底部,另一端固设有底板,所述底板上开设贯穿孔,所述底板上开设多个调节孔;

调平机构,包括调节轴、调节盘和调节件,所述调节轴穿过所述贯穿孔并与所述连接轴的底部抵接,所述调节轴位于所述底板外的一端与所述调节盘固定连接,所述调节盘上对应所述调节孔开设第一通孔;所述调节件的一端设有调节部,所述调节部支撑所述调节盘,所述调节件的一端穿过所述第一通孔设于对应的所述调节孔中,适于通过调节所述调节件沿所述调节孔的轴向方向移动使得所述加热盘调平。

通过移动调节件使调节件沿调节孔的轴向方向移动,使得调节盘发生相应的移动微调,调节盘进一步带动调节轴移动,通过调节轴的移动带动加热盘移动,使得倾斜的加热盘表面调整为水平状态,使晶圆放置在水平的加热盘表面进行薄膜沉积,保证晶圆沉积质量。

在一种可选的实施方式中,所述调节件包括杆体,所述杆体与所述调节部连接,所述调节部与所述杆体连接的端面设置为球面,所述杆体上设有紧固件,所述紧固件与所述调节部球面相对的表面设有球面,所述调节盘与调节部之间设有第一球形件,所述第一球形件与所述调节部球面的接触面为球面,所述调节盘与紧固件之间设有第二球形件,所述第二球形件与所述紧固件球面的接触面为球面。

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