[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的漂移层；

设置在所述漂移层上的磁性介质层；

源极金属和漏极金属分别与所述漂移层欧姆接触，所述磁性介质层分别与所述源极金属和所述漏极金属间隔设置；

设置在所述源极金属和所述漏极金属之间的磁性介质层上的栅极金属，所述磁性介质层分别与所述漂移层和所述栅极金属接触，所述磁性介质层为Cr₂Ge₂Te₆、Fe₃GeTe₂、CrI₃、Bi系陶瓷薄膜和Ir系陶瓷薄膜中的一种。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述磁性介质层厚度为10nm至100nm。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述漂移层包括沟道层和势垒层。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，在所述磁性介质层与所述源极金属之间以及在所述磁性介质层和所述漏极金属之间设置钝化层。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，在所述漂移层上界定有有源区和无源区，所述无源区位于所述有源区的外围，所述磁性介质层、所述源极金属、所述漏极金属和所述栅极金属均位于所述有源区。

6.一种高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；

刻蚀所述磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口；

在所述源极开口和所述漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属分别与所述漂移层欧姆接触，且所述磁性介质层分别与所述源极金属和所述漏极金属间隔设置；

在所述源极金属和所述漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，所述磁性介质层分别与所述漂移层和所述栅极金属接触，所述磁性介质层为Cr₂Ge₂Te₆、Fe₃GeTe₂、CrI₃、Bi系陶瓷薄膜和Ir系陶瓷薄膜中的一种。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口之后，所述方法还包括：

在所述磁性介质层上形成覆盖所述磁性介质层、所述源极开口和所述漏极开口的钝化层；

刻蚀所述钝化层，分别形成位于所述源极开口内的第一开口和位于所述漏极开口内的第二开口，所述第一开口在所述衬底上的正投影面积小于所述源极开口在所述衬底上的正投影面积，所述第二开口在所述衬底上的正投影面积小于所述漏极开口在所述衬底上的正投影面积。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述源极金属和所述漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属包括：

刻蚀所述钝化层且终止于所述磁性介质层，以在所述钝化层上形成栅极槽；

在所述栅极槽内的磁性介质层上蒸镀金属形成所述栅极金属。

9.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层包括：

在所述衬底上沉积漂移层；

通过台面隔离工艺或绝缘离子注入工艺在所述漂移层上界定出有源区和无源区；

在所述漂移层的有源区沉积所述磁性介质层。

10.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述磁性介质层是通过ALD、PECVD、LPCVD、CVD、MBE、撕拉转移、电化学转移、溶胶凝胶法中的一种或者任意两种或三种的组合制作形成。