[发明专利]半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备

说明书

本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备，包括以下步骤：(1)清理陶瓷基板预处理；(2)镀金；(3)镀钯；(4)镀镍；(5)碱性化学镀镍；(6)酸性化学镀钯；(7)浸锌。(8)超声波碱洗，(9)腐蚀调整；本发明提供的晶圆化镀工艺中，镍镀层、钯镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，电镀层与铝材的结合力良好，从而不起泡、无脱落、不起皮；成本低、污染少。

技术领域

本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，其原始材料是硅，且由于其形状为圆形，故称为晶圆或硅晶圆。在生产过程中，需要对晶圆进行电镀工序，即在晶圆上电镀一层导电金属，后续还将对导电金属层进行加工以制成导电线路。晶圆作为芯片的基本材料，其对于电镀镀层的要求是极高的，故而工艺的要求也较高。晶圆电镀时必须保证镀层的均匀性，方能保证晶圆的质量。

例如，申请号为：CN202111012475.9，名称为一种晶圆双面电镀装置及工艺的发明专利中提及“一种晶圆双面电镀方法，包括以下步骤：

S1、将待镀晶圆固定在夹具上，然后调整两个阳极板与待镀晶圆的距离；

S2、向电镀槽中注入电镀液、通入惰性气体；

S3、将夹具连接至电镀电源的负极，将两块阳极板连接至电镀电源正极，接通电源开始电镀；

S4、电镀的同时通过驱动装置带动补偿板做简谐运动，通过补偿板的阻隔使镀面金属层成型速度趋于平衡，得到较为平整的镀膜”。

由上述内容可得，传统的晶圆电镀工艺大多是通过驱动晶圆在电镀池中往复移动以用于实现均匀电镀的效果，然而，驱动晶圆往复移动的驱动结构始终存在精度差异，每一次电镀时，圆晶的移动路径存在差异，因此，即使单个晶圆上的电镀层结构均匀，然而不同晶圆的电镀层存在差异，则会导致单批次晶圆的产品质量水平不稳定，影响生产，亟待改善。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺，旨在解决现有技术中的驱动晶圆往复移动的驱动结构始终存在精度差异，导致单批次晶圆的产品质量水平不稳定，影响生产，亟待改善的技术问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供的一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺，包括以下步骤：

S100：清理陶瓷基板预处理；

S200：镀金：处理后的陶瓷基板置于电镀液中进行镀金，电镀液包括2～8g/L的氰化亚金钾、15～20g/L的硫酸钴、40～50g/L的柠檬酸、50～90g/L的柠檬酸钾；

S300：镀钯：将陶瓷基板挂入钯电镀缸内电镀，电镀阳极为白金钛网，电镀液为钯含量2～3g/L的溶液，电镀时间为0.9～1min，温度为40～45℃；

S400：镀镍：对陶瓷基板采用电镀液进行电镀镍，电镀镍的电镀液包括：硫酸镍200～220g/L、戊二醛1～3g/L、柠檬酸钠50～100g/L、硼酸30～40g/L、十二烷基苯磺酸钠0.2～0.3g/L，电流密度1～2A/dm2，电镀时间为40～50min；

S500：碱性化镀镍：将步骤S400完成的镀件放入碱性化学镍溶液中施镀，碱性化学镍溶液的pH值为9.6～11.5、温度为35～40℃，施镀时间为30～50min；

S600：酸性化镀镍：将步骤S500完成的镀件放入酸性化学镍溶液中，酸性化学镍溶液的pH值为4.5～5.5，温度为60～80℃，施镀时间为20～30min；

S700：浸锌：将陶瓷基板浸于浸锌液中，在陶瓷基板表面形成浸锌层；