[发明专利]蜡样芽孢杆菌在水中除铬脱硫的方法和用途

权利要求书

1.蜡样芽孢杆菌在水中脱硫的用途，优选还包括除铬的用途。

2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述蜡样芽孢杆菌为Bacillus cereusFNXJ1-2-3，保藏编号为CGMCC No.9683。

3.根据权利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述硫为硫离子；

和或，所述铬为铬离子，优选所述铬离子包括铬酸根和重铬酸根中的至少一种。

4.一种利用蜡样芽孢杆菌在水中脱硫或除铬及脱硫的方法，其特征在于，包括在含硫或含铬和硫的水中培养蜡样芽孢杆菌的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括加入所述蜡样芽孢杆菌的培养基的步骤。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述培养蜡样芽孢杆菌的温度为20-40℃，优选为30-40℃，进一步优选为35℃；

和/或，所述培养蜡样芽孢杆菌的pH为5.5-7.5，优选为7.0-7.5；

和/或，所述培养蜡样芽孢杆菌的时间为4-24h，优选为12-24h；

和/或，所述培养蜡样芽孢杆菌的接种量为(2-7)×10⁹个/mL，优选为(5-7)×10⁹个/mL。

7.根据权利要求4-6任一所述的方法，其特征在于，所述蜡样芽孢杆菌的培养基包括碳源、氮源、磷源，pH为7-8；

优选地，所述蜡样芽孢杆菌的培养基的碳源为NaAC；

优选地，所述蜡样芽孢杆菌的培养基的氮源为KNO₃和NH₄Cl；

优选地，所述蜡样芽孢杆菌的培养基的磷源为Na₂HPO₄和KH₂PO₄。

8.根据权利要求4-7任一所述的方法，其特征在于，所述NaAC的在整个培养体系中的浓度为0.7-0.9g/L；

和/或，述KNO₃在整个培养体系中的浓度为0.7-0.9g/L，所述NH₄Cl在整个培养体系中的浓度为0.5-0.7g/L；

和/或，所述Na₂HPO₄在整个培养体系中的浓度为1.0-1.5g/L，所述KH₂PO₄在整个培养体系中的浓度为1.5-2.0g/L。

9.根据权利要求4-8任一所述的方法，其特征在于，还包括充入氮气以去除氧气的步骤。

10.根据权利要求4-9任一所述的方法，其特征在于，所述硫在整个培养体系中的浓度为25-100g/L；

和/或，所述铬在整个培养体系中的浓度为20-40g/L。