[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层；

所述硅基底的背光面包括：第一导电区域、第二导电区域，以及位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的绝缘区域；所述第一导电区域、所述绝缘区域、所述第二导电区域沿第一方向分布；所述第一传输层中的第一掺杂层，和所述第二传输层中的第二掺杂层的掺杂类型不同；

所述第一传输层具有位于所述第一导电区域上的第一部分，和位于所述绝缘区域上的第二部分；所述绝缘层包括：位于所述第二部分上的第三部分；所述第三部分中靠近所述第二导电区域的第一侧面，从靠近所述硅基底向远离所述硅基底的第二方向，沿所述第一方向，依次向靠近所述第一导电区域的方向倾斜，所述第一侧面上，最远离所述硅基底的一端，比所述第一侧面上，最靠近所述硅基底的一端，在所述第一方向上，更最靠近所述第一导电区域。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层还包括：位于所述第一部分上的第四部分；所述第四部分在所述第一部分的背光面上的正投影的面积，小于所述第一部分的背光面的面积；所述第四部分，沿所述第二方向，在所述第一方向上的尺寸，先减小后增大。

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二导电区域、所述第一部分均被激光照射过；

所述背接触太阳能电池还包括：位于所述硅基底的背光侧的第一电极和第二电极；

所述第二传输层具有位于所述第二导电区域上的第五部分，以及所述第四部分上的第六部分；

所述第一电极位于所述第一部分中，除了所述第六部分之外的区域上，所述第二电极位于所述第五部分上。

4.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一传输层、所述第二传输层均包括层叠设置的背面钝化层和掺杂层；所述第一传输层和所述第二传输层中，所述背面钝化层均比所述掺杂层更靠近所述硅基底；

所述背面钝化层的材料选自：非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述六部分，在所述硅基底的背光面的正投影的总面积，占所述硅基底的背光面的总面积的比例为：0.001％至0.5％。

6.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述硅基底的背光侧的透明导电层、依次位于所述硅基底的向光面的正面钝化层和正面减反层。

7.一种权利要求1至6中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供基材；所述基材包括：硅基底，依次位于所述硅基底背光侧的第一传输层、绝缘层、掩膜层；所述第一传输层、所述绝缘层、所述掩膜层均在所述硅基底的背光侧整面设置；所述硅基底的背光面包括：第一导电区域、第二导电区域，以及位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的绝缘区域；所述第一导电区域、所述绝缘区域、所述第二导电区域沿第一方向分布；

对所述掩膜层进行开膜，使得所述绝缘层部分裸露，采用第一刻蚀溶液，对裸露的部分所述绝缘层及其下方的第一传输层进行开膜，，使得所述硅基底的背光面部分裸露，所述第一传输层具有位于所述第一导电区域上的第一部分和位于所述绝缘区域上的第二部分，所述绝缘层具有位于所述第二部分上的第三部分；

去除剩余的所述掩膜层，并采用氢氟酸处理所述硅基底的背光面的裸露区域，使得所述第三部分中靠近所述第二导电区域的第一侧面，从靠近所述硅基底向远离所述硅基底的第二方向，沿所述第一方向，依次向靠近所述第一导电区域的方向倾斜，所述第一侧面上，最远离所述硅基底的一端，比所述第一侧面上，最靠近所述硅基底的一端，在所述第一方向上，更最靠近所述第一导电区域；

在所述硅基底的背光面的裸露区域形成第二传输层；所述第一传输层中的第一掺杂层，和所述第二传输层中的第二掺杂层的掺杂类型不同。

8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述掩膜层进行开膜，包括：采用光斑交叠的激光，对所述掩膜层进行开膜。