[发明专利]一种太阳能电池的自适应温度调控装置在审
申请号: | 202310541569.8 | 申请日: | 2023-05-15 |
公开(公告)号: | CN116632091A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 孔瑞盈;詹耀辉;周玉晟;李孝峰 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/0525 | 分类号: | H01L31/0525;H02S40/12 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李玉婷 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 自适应 温度 调控 装置 | ||
1.一种太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:包括,
半导体制冷器,其根据与电极的连接可进行制冷和制热的转换,所述半导体制冷器与需要温度调控的太阳能电池板相连,所述半导体制冷器处于制冷状态工作时对所述太阳能电池散热,所述半导体制冷器处于制热状态工作时加热所述太阳能电池;
温度调控薄膜,其与所述半导体制冷器相连,其用于切换所述半导体制冷器处于制冷状态或者所述半导体制冷器处于制热状态其中之一工作;所述温度调控薄膜包括依次相连的第一导电层、相变层和第二导电层;其中,所述相变层具有相变温度,其被配置为当环境温度低于所述相变温度时,所述相变层形成为绝缘层;当环境温度等于或者高于所述相变温度时,所述相变层形成为导电层;
其中,所述相变层形成为导电层时,所述半导体制冷器处于制冷状态工作;所述相变层形成为绝缘层时,所述半导体制冷器处于制热状态工作。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述相变层具有相变介质,所述相变介质由二氧化钒掺杂钨元素组成。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述相变层的相变温度为25℃。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述第一导电层设置为金属层,其中,所述金属层的材质为Al、Ag或Au。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述第二导电层设置为金属滤光层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述金属滤光层上设有阵列排布的滤光孔。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述温度调控薄膜还包括基底层,所述第一导电层设置于所述基底层上。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述温度调控薄膜还包括发射层和吸收层,所述发射层设置于第二导电层上,所述吸收层设置于所述第一导体层和相变层之间。
9.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:还包括供电电路,所述供电电路同时与所述半导体制冷器和所述温度调控薄膜相连,其配置为受控于所述温度调控薄膜给所述半导体制冷器的工作供电。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的自适应温度调控装置,其特征在于:所述供电电路包括电源、继电器、第一电阻和第二电阻;
所述继电器具有并联连接的触点开关和导电线圈,所述触点开关和导电线圈并联后的一端连接所述继电器的第一接电端子,所述触点开关和导电线圈的另一端分别连接所述继电器的第二接电端子和第三接电端子;
所述半导体制冷器的正极连接所述第一接电端子,其负极同时连接第二电阻和温度调控薄膜的第一导电层,所述第二电阻的同时连接电源正极和所述第三接电端子;所述温度调控薄膜的第二导电层连接第一电阻,所述第一电阻的另一端同时连接所述电源的负极和所述第二接电端子。
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