[发明专利]一种高散热封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高散热封装结构，其特征在于，包括载板，所述载板上间隔设置有多个芯片，芯片周边及相邻芯片之间设置有第一填充层，每个芯片上均设置有散热铜块，散热铜块周边及相邻散热铜块之间设置有第二填充层，所有散热铜块上设置有同一层电镀散热铜层，所述载板上还设置有与电镀散热铜层连接的散热铜柱，所述散热铜柱与地网络连接，所述电镀散热铜层完全覆盖所有散热铜块、散热铜柱和第二填充层，所述电镀散热铜层上设置有金属镀层，所述载板远离芯片的一面设置有封装锡球。

2.根据权利要求1所述的一种高散热封装结构，其特征在于，所述散热铜块通过导电胶水设置于芯片上，所述导电胶水使用半烧结银导电胶水，热导率为40W/m℃-100W/m℃。

3.根据权利要求1所述的一种高散热封装结构，其特征在于，所述电镀散热铜层的厚度为50-100μm。

4.根据权利要求1所述的一种高散热封装结构，其特征在于，所述散热铜块的厚度不小于500μm。

5.根据权利要求1所述的一种高散热封装结构，其特征在于，所述金属镀层的厚度不小于10μm。

6.根据权利要求1所述的一种高散热封装结构，其特征在于，所述载板采用Panel级铜板或者钢板制成，其上设置有载版介质层、载板互联孔和载板线路层。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种高散热封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制备载板；

2)在载板上完成贴装芯片；

3)对芯片进行一次塑封料填充或者Film压合，形成第一填充层；

4)对第一填充层进行曝光，显影，蚀刻留下需要保留塑封料或者Film部分，然后整体研磨，将芯片表面研磨出来；

5)在研磨后的芯片表面点导电胶水，再贴装散热铜块；

6)烘烤后进行二次Film填充或者塑封，形成第二填充层，填充/塑封后研磨到散热铜块表面，进行整面溅射Ti/Ni形成种子层，再通过线路工艺，压合感光干膜，通过曝光、显影、蚀刻、电镀形成需要的图形，再通过电镀形成散热铜柱，要求散热铜柱与地网络连接；进一步研磨到散热铜块表面，进行整面溅射Ti/Ni形成种子层，然后整面电镀形成一整面电镀散热铜层，电镀散热铜层的厚度根据散热需求调整；

7)在电镀散热铜层表面进行表面处理形成金属镀层，起到保护作用；然后打印、植球、切割，形成最终成品。