[发明专利]一种薄膜铌酸锂器件的耦合装置及耦合方法在审
| 申请号： | 202310543007.7 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116520501A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;申鹏飞;杨登才 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/32 | 分类号： | G02B6/32;G02B6/26;G02B6/30;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铌酸锂 器件 耦合 装置 方法 | ||
1.一种薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，包括：沿激光器的激光出射方向依次设置的第一准直透镜、第一汇聚透镜、薄膜铌酸锂器件、第二准直透镜、第二汇聚透镜和光纤；
所述第一准直透镜，用于将所述激光器出射的激光准直成第一平行光；
所述第一汇聚透镜，用于将第一平行光汇聚，并耦合进入所述薄膜铌酸锂器件；
所述第二准直透镜，用于将所述薄膜铌酸锂器件的出射光准直成第二平行光；
所述第二汇聚透镜，用于将第二平行光汇聚，并耦合进入所述光纤。
2.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，所述第一准直透镜和第二准直透镜为非球透镜。
3.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，所述第一汇聚透镜和第二汇聚透镜为非球透镜。
4.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，所述光纤为单模光纤。
5.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，所述薄膜铌酸锂器件包括薄膜铌酸锂直波导、薄膜铌酸锂Y波导和薄膜铌酸锂调制器集成芯片中的一种。
6.一种薄膜铌酸锂器件的耦合方法，采用如权利要求1～4中任一项所述的薄膜铌酸锂器件的耦合装置，其特征在于，包括：
激光器出射的激光经第一准直透镜准直成第一平行光；
第一平行光经第一汇聚透镜汇聚，并耦合进入薄膜铌酸锂器件；
薄膜铌酸锂器件的出射光经第二准直透镜准直成第二平行光；
第二平行光经第二汇聚透镜汇聚，并耦合进入光纤，实现薄膜铌酸锂器件与光纤的耦合。
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