[发明专利]具有均温功能的半导体封装结构及其封装方法在审
申请号: | 202310543424.1 | 申请日: | 2023-05-15 |
公开(公告)号: | CN116469864A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 袁雪鹏;陈逸晞;汤勇;姚剑锋;庞隆基;颜志扬;陈发俊 | 申请(专利权)人: | 佛山市蓝箭电子股份有限公司;华南理工大学 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 佛山汇能知识产权代理事务所(普通合伙) 44410 | 代理人: | 周详;张俊平 |
地址: | 528051 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 功能 半导体 封装 结构 及其 方法 | ||
本发明提供了一种具有均温功能的半导体结构及封装方法,包括塑封料包裹层、框架基岛、框架管脚、金属引线和芯片;框架基岛由上壳板、下壳板、吸液芯和粉柱组成;芯片焊接在框架基岛上,通过金属引线与框架管脚相连;框架基岛总体上被包裹在塑封料包裹层中,框架基岛的底面与框架管脚外露于塑封料包裹层;塑封料包裹层的上表面形成微沟槽;上壳板、下壳板、吸液芯和粉柱采用均温板制备。通过采用均温板和高导热填料,本发明大幅度提高了框架基岛和塑封料的导热能力;通过设置微沟槽,本发明增加了塑封料上表面的散热面积,进一步提高了芯片上部散热通道的散热能力,有效降低了半导体工作时的热应力,从而大幅度提高了半导体的使用寿命和可靠性。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,具体涉及一种具有均温功能的半导体封装结构及其封装方法。
背景技术
半导体塑封器件(可统称为半导体封装结构)由于生产工艺简单、成本低,广泛应用于家电、新能源交通工具等多个领域。然而,现有的半导体封装结构(例如但不限于CN111916408 A号发明专利申请公开的技术方案)也存在一些技术缺陷,主要是其均温功能较弱,从而对半导体封装结构的使用寿命和可靠性产生消极影响。具体地说,由于半导体封装结构中的多种材质具有不同的热膨胀系数,特别是其中的塑封料导热率低且不密封,产品长期在热应力的循环下容易导致封装分层现象的发生,从而大幅度降低半导体的使用寿命和可靠性。
发明内容
本发明的目的旨在以便捷、经济的技术手段提高半导体封装结构的均温功能,从而克服上述现有技术的缺陷。
为了实现上述目的,本发明采用了下述技术方案:
一种具有均温功能的半导体封装结构,包括塑封料包裹层、框架基岛、框架管脚、金属引线和芯片;框架基岛由上壳板、下壳板、吸液芯和粉柱组成;芯片焊接在框架基岛上,通过金属引线与框架管脚相连;框架基岛总体上被包裹在塑封料包裹层中,框架基岛的底面与框架管脚外露于塑封料包裹层;塑封料包裹层的上表面形成微沟槽;上壳板、下壳板、吸液芯和粉柱采用均温板制备。
在上述技术方案的基础上,本发明可采用下述附加的技术手段,以便更好地实现本发明的目的:
所述塑封料包裹层采用填充型高导热环氧树脂复合材料制备。
进一步地,所述填充型高导热环氧树脂复合材料填充有高导热填料,高导热填料为氧化物填料或/和氮化物填料。
进一步地,所述氧化物填料为Al2O3、SiO2、ZnO中的一种或两种以上,所氮化物填料为BN、AlN、Si3N4中的一种或两种以上。
进一步地,所述高导热填料的体积为高导热环氧树脂复合材料的5.9~6.1%。
进一步地,按质量份,所述高导热填料由三份氧化物填料和一份氮化物填料组成,在氧化物填料中,Al2O3、SiO2、ZnO的质量比为3:2:1,在氮化物填料中,BN、AlN、Si3N4的质量比为2:1:1。
进一步地,所述框架管脚的数量为三条,所述芯片的下表面采用回流焊焊接在所述上壳板上,所述芯片的上表面通过金属引线与位于两侧的框架管脚相连。
进一步地,所述吸液芯采用多层丝网烧结,并与所述粉柱装配在一起。
进一步地,所述吸液芯采用铜粉烧结,并与所述粉柱烧结在一起。
进一步地,所述吸液芯与所述上壳板烧结在一起。
上述技术方案构成了本发明中的“产品”部分,本发明还进一步提供了相应的封装方法,其包括下述步骤:
步骤1,框架基岛的制备:采用蚀刻方法制备上壳板和下壳板;采用高温烧结多层丝网或者铜粉的方法制备吸液芯;高温烧结铜粉制备粉柱;吸液芯烧结时与框架基岛的上壳板烧结一体;采用模具装配制备框架基岛的各均温板并钎焊,在蒸汽腔内注入液体工质,抽真空得到框架基岛;
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