[发明专利]一种SiC半导体点火材料、制备方法及应用

权利要求书

1.一种SiC半导体点火材料，其特征在于，按质量分数计包括一下原料组分：10～30％的复合烧结助剂粉末、30～70％SiC粉末、10～40％的莫来石粉末和0～20％的ZrO₂粉末；

所述复合烧结助剂粉末按体积分数计包括以下组分：45～70％的SiO₂、10～40％的La₂O₃、1～10％的Yb₂O₃、1～5％的Gd₂O₃、1～5％的Sr₂O₃、0～5％的MgO、0～5％的Na₂O和0～5％的K₂O。

2.一种如权利要求1所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将SiO₂、La₂O₃、Yb₂O₃、Gd₂O₃、Sr₂O₃、MgO、Na₂O和K₂O混合均匀，中温烧结，研磨，制得复合烧结助剂粉末；

将复合烧结助剂粉末与SiC粉末、莫来石粉末和ZrO₂粉末混合均匀，制得SiC半导体复合粉末；

将SiC半导体复合粉末与聚乙烯醇溶液混合均匀，压制成生坯；

将生坯进排胶处理；

将排胶处理后的生坯进行高温烧结，得到SiC半导体点火材料。

3.根据权利要求2所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，所述将SiO₂、La₂O₃、Yb₂O₃、Gd₂O₃、Sr₂O₃、MgO、Na₂O和K₂O混合均匀，中温烧结，研磨，制得复合烧结助剂粉末的具体操作为：

将SiO₂、La₂O₃、Yb₂O₃、Gd₂O₃、Sr₂O₃、MgO、Na₂O和K₂O混合料，采用湿法球磨混合均匀；

将混合均匀的混合料升温至1000～1200℃进行中温烧结，保温1～12h，随炉冷却，研磨，过200～400目筛，得到复合烧结助剂粉末。

4.根据权利要求3所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，所述湿法球磨的磨球为玛瑙球，湿法球磨的介质为无水乙醇，且玛瑙球:混合料:无水乙醇为2:1:1。

5.根据权利要求3所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，中温烧结的升温速率小于50℃/min。

6.根据权利要求2所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯醇溶液为8wt％固含量的聚乙烯醇溶液；SiC半导体复合粉末与聚乙烯醇溶液的质量比为90:10。

7.根据权利要求2所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，压制的压力为60～120MPa。

8.根据权利要求2所述的SiC半导体点火材料的制备方法，其特征在于，所述将生坯进排胶处理的方法为：将生坯以小于5℃/h的速率，升温至450-500℃，保温12～24h，完成排胶过程。