[发明专利]集成片、集成片的制作方法及半导体随机激光器

权利要求书

1.一种集成片，其特征在于，包括：

环形镜(110)，所述环形镜(110)包括环形镜波导(111)和定向耦合器(112)，所述环形镜波导(111)的两端分别与所述定向耦合器(112)对应侧的端口连接，所述环形镜(110)的数量设置为多个，多个所述环形镜(110)依次连接，提供随机反馈；其中，

相邻两个所述环形镜(110)之间通过连接波导(113)连通，位于其中一端部的所述环形镜(110)于远离相邻所述环形镜(110)的一侧连通有输光波导(114)。

2.根据权利要求1所述的集成片，其特征在于，多个所述环形镜波导(111)的长度设置为不同的预设值，以使多个依次连接的所述环形镜(110)提供随机反馈。

3.根据权利要求1所述的集成片，其特征在于，多个所述环形镜(110)中，每相邻两个所述环形镜(110)之间的所述连接波导(113)的长度设置为不同的预设值，以使多个依次连接的所述环形镜(110)提供随机反馈。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成片，其特征在于，所述环形镜(110)的反射率≤5％。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的集成片，其特征在于，所述环形镜(110)的数量设置为7-30个。

6.一种集成片的制作方法，用于制作如权利要求1-5任一项所述的集成片，其特征在于，所述集成片的制作方法包括以下步骤：

S100、于SOI晶圆上制作掩膜，所述SOI晶圆包括硅衬底(101)、二氧化硅下包层(102)、顶层硅(103)，对所述顶层硅(103)进行光刻或刻蚀工艺形成所述环形镜波导(111)、所述定向耦合器(112)、所述连接波导(113)及所述输光波导(114)，并于每个所述环形镜波导(111)的两端连接所述定向耦合器(112)，以形成所述环形镜(110)；所述环形镜(110)设置为多个，多个所述环形镜(110)依次连接，提供随机反馈；其中，

相邻两个所述环形镜(110)之间通过连接波导(113)连通，位于其中一端部的所述环形镜(110)于远离相邻所述环形镜(110)的一侧连通有输光波导(114)；

S200、于所述顶层硅(103)上沉积生长二氧化硅上包层(104)，以形成所述集成片。

7.一种半导体随机激光器，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的集成片，还包括：

半导体光放大器(200)，与所述集成片的输光波导(114)连通，所述半导体光放大器(200)的输出端设有与所述输光波导(114)相对应的反射结构(300)。

8.根据权利要求7所述的半导体随机激光器，其特征在于，还包括楔形模斑转换器(400)，所述楔形模斑转换器(400)设置于所述输光波导(114)上并位于所述半导体光放大器(200)远离所述反射结构(300)的一侧。

9.根据权利要求7所述的半导体随机激光器，其特征在于，所述反射结构(300)设置为波导光栅或反光膜。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的半导体随机激光器，其特征在于，所述反射结构(300)的反射率设置为1％-50％。