[发明专利]LDMOS器件的制备方法及其结构

说明书

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件的制备方法及其结构，包括：提供一衬底，且在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一HTO层；沉积SiN保护层覆盖第一HTO层，以形成初始场板区；光刻并刻蚀初始场板区，得到去除了非场板结构的目标场板区，目标场板区包括第二HTO层和覆盖第二HTO层的SiN保护层；酸洗去除用于在外延层内形成阱掺杂区的第一光刻胶层和用于在外延层内形成漂移区的第二光刻胶层；通过热磷酸漂洗去除SiN保护层，且暴露第二HTO层。本申请采用HTO层作为LDMOS器件的场板，且在HTO层上沉积SiN保护层对HTO层进行防护，HTO层场板厚度不会随湿法去胶次数改变而改变，从而使LDMOS器件耐压性能均匀稳定。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种LDMOS器件的制备方法及其结构。

背景技术

在半导体制造领域，BCD（双极型晶体管-互补金属氧化物晶体管-双扩散金属氧化物晶体管）功率集成电路中集成的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件应用广泛，占有越来越大范围的市场，影响LDMOS器件性能与耐压参数的关键是场板结构，现有LDMOS器件多采用HTO（high-temperature oxidation）场板，即高温热氧化沉积层场板，而HTO场板的厚度，极大的影响到LDMOS的耐压，因此做出厚度均匀的HTO场板是LDMOS工艺的核心与关键，稳定的HTO工艺也是各个FAB竞相追逐的技术高地。

现有工艺中的HTO场板的厚度难以控制，HTO场板生成后会存在多道连续的阱制程与漂移区制程，每一道制程的光刻胶清除过程都会对HTO的厚度产生影响，从而导致了HTO的厚度均匀性变差，这种情况需要改变。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种LDMOS器件的制备方法及其结构，以提高作为LDMOS器件场板的HTO层的厚度稳定性。

为实现以上目的，根据第一方面，采用的技术方案为：

一种LDMOS器件的制备方法，包括：

提供一衬底，且在所述衬底上沉积外延层；

在所述外延层上沉积用于作为LDMOS器件的场板的第一HTO层；

基于所述第一HTO层，沉积SiN保护层覆盖所述第一HTO层，以形成初始场板区；

光刻并刻蚀所述初始场板区，得到去除了非场板结构的目标场板区，所述目标场板区包括第二HTO层和覆盖所述第二HTO层的所述SiN保护层；

酸洗去除用于在所述外延层内形成阱掺杂区的第一光刻胶层和用于在所述外延层内形成漂移区的第二光刻胶层；

通过热磷酸漂洗去除所述SiN保护层，且暴露所述第二HTO层；

在所述外延层上或所述第二HTO层上形成栅氧层，且在所述栅氧层上沉积多晶硅栅，所述多晶硅栅部分覆盖所述第二HTO层。

本申请进一步设置为：在炉管内，通过化学气相沉积工艺沉积所述SiN保护层到所述第一HTO层，直至所述SiN保护层覆盖所述第一HTO层，在所述炉管内，所述化学气相沉积工艺沉积所述SiN保护层的反应温度为200-600℃，所述SiN保护层的反应时间为10-300min，所述SiN保护层的沉积厚度为300-1000Å。

本申请进一步设置为：所述SiN保护层的沉积厚度为450Å，所述第一HTO层或所述第二HTO层的沉积厚度为200-1200Å，所述栅氧层的沉积厚度为130-160Å。

本申请进一步设置为：通过所述热磷酸漂洗去除所述SiN保护层后的暴露的所述第二HTO层的厚度为400Å。

本申请进一步设置为：在所述酸洗去除用于在所述外延层内形成阱掺杂区的第一光刻胶层和用于在所述外延层内形成漂移区的第二光刻胶层之前，还包括：