[发明专利]Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，包括：

对于Package的同一层：

获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；

通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；

根据封装Bump区域的S参数模型、Solder Ball区域的S参数模型以及Q2D走线模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。

2.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型通过三维仿真软件HFSS建模得到；其中，具体地：

利用HFSS软件对封装Bump区域和solder ball区域进行3D建模，并给模型赋予材料属性，通过添加激励，利用HFSS即求解出相应的S参数模型。

3.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，对于Q2D走线模型，通过RLCG矩阵表征得到该层所有走线长度的纯走线部分的S参数。

4.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型，具体为：

根据封装走线线宽、间距、介质及离上下参考地的距离信息，利用Q2D构建走线截面结构，得到纯走线区域的Q2D走线模型。

5.一种Package内部走线通道S参数获取装置，其特征在于，包括：

S参数模型获取单元，用于获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；

Q2D走线模型获取单元，用于通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；

S参数获取单元，用于根据封装Bump区域的S参数模型、Solder Ball区域的S参数模型以及Q2D走线模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。

6.根据权利要求5所述的Package内部走线通道S参数获取装置，其特征在于，封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型通过三维仿真软件HFSS建模得到。

7.根据权利要求5所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，对于Q2D走线模型，通过RLCG矩阵表征得到该层所有走线长度的纯走线部分的S参数。

8.根据权利要求5所述的Package内部走线通道S参数获取装置，其特征在于，S参数获取单元具体用于。

9.一种Package内部走线通道S参数获取设备，其特征在于，包括存储器以及处理器，所述存储器内存储有计算机程序，所述计算机程序能够被所述处理器执行，以实现如权利要求1至4任意一项所述的Package内部走线通道S参数获取方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有计算机程序，所述计算机程序能够被所述处理器执行，以实现如权利要求1至4任意一项所述的Package内部走线通道S参数获取方法。