[发明专利]一种高内阻参量阵差频通道前置电路

权利要求书

1.一种高内阻参量阵差频通道前置电路，用于参量阵接收换能器的前置电路拓扑，其特征在于，包括仪用放大电路和设置于仪用放大电路之前的差分放大电路；

所述差分放大电路包括第一输入电阻R1、第二输入电阻R2、第一输入电容C1、第二输入电容C2、第一JFET对管J1、第二JFET对管J2、第一源极电阻Rs1、第二源极电阻Rs2、第一漏极电阻Rd1、第二漏极电阻Rd2、恒流源i；

第一输入电阻R1、第二输入电阻R2、第一输入电容C1和第二输入电容C2构成差分放大电路的对称输入端；第一输入电容C1的一端和第二输入电容C2的一端分别连接所述参量阵接收换能器的两端，第一输入电容C1的另一端同时连接第一JFET对管J1的G极和第一输入电阻R1的一端，第一输入电阻R1的另一端接地，第二输入电容C2的另一端同时连接第二JFET对管J2的G极和第二输入电阻R2的一端，第二输入电阻R2的另一端接地；第一JFET对管J1的D极、第二JFET对管J2的D极分别连接第一漏极电阻Rd1的一端、第二漏极电阻Rd2的一端，第一漏极电阻Rd1的另一端和第二漏极电阻Rd2的另一端与正电源相连，第一JFET对管J1的S极、第二JFET对管J2的S极分别连接第一源极电阻Rs1的一端、第二源极电阻Rs2的一端，第一源极电阻Rs1的另一端、第二源极电阻Rs2的另一端短接在一起后与恒流源i的一端相连，恒流源i的另一端与负电源相连；

所述第一JFET对管J1的D极和第二JFET对管J2的D极作为差分放大电路的差分输出端，连接所述仪用放大电路。

2.如权利要求1所述的高内阻参量阵差频通道前置电路，其特征在于，所述仪用放大电路包括运算放大器INA、增益调节电阻Rg、第三输入电阻R3、第三输入电容C3、第四输入电阻R4和第四输入电容C4；

第三输入电容C3的一端、第四输入电容C4的一端分别连接第一JFET对管J1的D极、第二JFET对管J2的D极，第三输入电容C3的另一端同时连接第三输入电阻R3的一端和运算放大器INA的反向输入端，第四输入电容C4的另一端同时连接第四输入电阻R4的一端和运算放大器INA的同向输入端，第三输入电阻R3的另一端和第四输入电阻R4的另一端均接地，且运算放大器INA连接有增益调节电阻Rg。

3.如权利要求2所述的高内阻参量阵差频通道前置电路，其特征在于，所述差分放大电路的对称输入端中，第一输入电阻R1和第二输入电阻R2完全相同，第一输入电容C1和第二输入电容C2完全相同。

4.如权利要求3所述的高内阻参量阵差频通道前置电路，其特征在于，所述差分放大电路中，第一源极电阻Rs1和第二源极电阻Rs2完全相同，第一漏极电阻Rd1和第二漏极电阻Rd2完全相同。

5.如权利要求1所述的高内阻参量阵差频通道前置电路，其特征在于，所述高内阻参量阵差频通道前置电路的总增益为：

Gain＝(Rd1/Rs1)*Gain2

式中：Gain2为所述仪用放大电路的增益，Rd1和Rs1分别为第一漏极电阻Rd1和第一源极电阻Rs1的阻值。

6.如权利要求1所述的高内阻参量阵差频通道前置电路，其特征在于，所述参量阵接收换能器为浅地层剖面仪中的参量阵接收换能器。