[发明专利]一种控制直拉单晶液面距的方法在审
| 申请号： | 202310558556.1 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116288662A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙晨光;孔凯斌;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;王彦君;娄中士;侯明超;刘伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 直拉单晶 液面 方法 | ||
1.一种控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：包括，
进入稳温工序时，调节液位检测装置至预设液面距高度；
进行硅溶液表面位置探测：判断所述液位检测装置是否与硅溶液液面接触，若是，则控制坩埚下降，否则，控制坩埚上升；
重复上述步骤，直至停炉工序，停止液面距控制。
2.根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述进行硅溶液表面位置探测步骤中，按照设定距离及设定速度移动坩埚，控制坩埚上升或下降，所述设定距离为0.1-1mm，所述设定速度为0.1-1mm/min。
3.根据权利要求2所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：每隔第一时间段进行一次硅溶液表面位置探测，所述第一时间段为1-2min。
4.根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述进行硅溶液表面位置探测步骤中，按照设定比例控制埚跟比，控制坩埚上升或下降，所述设定比例为0.1-0.4。
5.根据权利要求4所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：每隔第二时间段进行一次硅溶液表面位置探测，所述第二时间段为10-15min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：在拉晶前，对所述液位检测装置进行零位校正。
7.根据权利要求6所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述液位检测装置的零位为所述液位检测装置与外导流筒下沿平齐的位置。
8.根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述液位检测装置的检测端延伸进单晶炉内，并延伸至内导流筒的下沿处。
9.根据权利要求8所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述液位检测装置为液位探针。
10.根据权利要求8或9所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于：所述液位检测装置的位置通过位置检测装置检测，所述位置检测装置为位置传感器。
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