[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202310561862.0 | 申请日: | 2023-05-16 |
公开(公告)号: | CN116525622A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 刘军;周斌;孙涛;苏同上 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王晨 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
第一源漏金属层,位于所述衬底基板的一侧;
第一平坦化层,位于所述第一源漏金属层背离所述衬底基板的一侧,所述第一平坦化层具有主过孔,所述主过孔用于暴露至少部分所述第一源漏金属层的金属,且所述第一平坦化层位于所述主过孔内的至少部分侧壁为斜面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一钝化层,位于所述第一源漏金属层背离所述衬底基板的一侧,所述第一钝化层包括:
第一结构部,位于所述主过孔内,所述第一结构部包括:
至少一个辅过孔,至少部分所述辅过孔的边沿接触所述第一平坦化层的侧壁。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少一个所述辅过孔包括:
第一过孔,位于所述第一结构部的中部;
至少一个第二过孔,所述第二过孔位于所述第一结构部接触所述第一平坦化层的边沿位置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述主过孔在所述衬底基板的正投影为矩形;
所述第一结构部包括四个所述第二过孔,四个所述第二过孔在所述衬底基板的正投影分布于所述矩形的四个顶角处。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二源漏金属层,位于所述第一钝化层背离所述衬底基板的一侧,所述第二源漏金属层包括:
第二结构部,位于所述主过孔内且覆盖所述第一结构部;
其中,在所述第二过孔处,所述第一平坦化层面向所述第二结构部的侧壁为所述斜面,所述斜面与所述第一结构部所在平面形成的面向所述第二结构部的夹角为锐角。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,在所述衬底基板的厚度方向上,所述第二结构部的厚度小于所述斜面的高度。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,用于制备权利要1-6任一项所述的显示面板,所述制备方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧沉积形成第一源漏金属层;
利用沉积工艺在所述第一源漏金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一平坦化层,所述第一平坦化层具有主过孔,所述主过孔用于暴露至少部分所述第一源漏金属层的金属,且所述第一平坦化层位于所述主过孔内的至少部分侧壁为斜面。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在形成所述第一平坦化层之后,所述方法还包括:
利用沉积工艺在所述第一平坦化层背离所述衬底基板的一侧形成第一钝化层;
利用刻蚀工艺至少在所述第一钝化层位于所述主过孔内的边沿位置形成辅过孔,所述辅过孔的边沿接触所述第一平坦化层的侧壁。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述辅过孔包括第一过孔和第二过孔,所述利用刻蚀工艺至少在所述第一钝化层位于所述主过孔内的边沿位置形成辅过孔,包括:
利用刻蚀工艺在所述第一钝化层的中部位置形成第一过孔以及在所述第一钝化层接触所述第一平坦化层侧壁的位置形成至少一个第二过孔,其中,所述第一过孔用于暴露所述第一源漏金属层,所述刻蚀工艺对所述第一平坦化层进行各向同性刻蚀使得所述第一平坦化层位于所述主过孔内的至少部分侧壁为所述斜面。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的