[发明专利]一种Gm单元及基于该Gm单元的全差分四阶Gm-C滤波器在审
申请号: | 202310565956.5 | 申请日: | 2023-05-17 |
公开(公告)号: | CN116582105A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 丁瑞雪;宋金泽;文奎;刘术彬;朱樟明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03H11/04 | 分类号: | H03H11/04 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 勾慧敏 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gm 单元 基于 全差分四阶 滤波器 | ||
1.一种适用于全差分四阶Gm-C滤波器的Gm单元,其特征在于,包括互补输入级电路(101)、第一PMOS并联电流分配电路(102)、第二PMOS并联电流分配电路(103)、第一PMOS串联电流分配电路(104)、第二PMOS串联电流分配电路(105)、第一NMOS并联电流分配电路(106)、第二NMOS并联电流分配电路(107)、第一NMOS串联电流分配电路(108)、第二NMOS串联电流分配电路(109)和对称型电流检测共模反馈电路(110),其中,
所述第一PMOS并联电流分配电路(102)和所述第一PMOS串联电流分配电路(104)串联在所述互补输入级电路(101)的第一输入端与所述Gm单元的正输出端之间;
所述第二PMOS并联电流分配电路(103)和所述第二PMOS串联电流分配电路(105)串联在所述互补输入级电路(101)的第二输入端与所述Gm单元的负输出端之间;
所述第一NMOS并联电流分配电路(106)和所述第一NMOS串联电流分配电路(108)串联在所述互补输入级电路(101)的第一输出端与所述Gm单元的正输出端之间;
所述第二NMOS并联电流分配电路(107)和所述第二NMOS串联电流分配电路(109)串联在所述互补输入级电路(101)的第二输出端与所述Gm单元的负输出端之间;
所述互补输入级电路(101)还用于输入第一差分信号和第二差分信号;
所述对称型电流检测共模反馈电路(110)包括两个输入端和两个输出端,两个输入端分别输入第一偏置电压VBCMP和第二偏置电压VBCMN,两个输出端分别连接至所述Gm单元的正输出端和负输出端。
2.根据权利要求1所述的适用于全差分四阶Gm-C滤波器的Gm单元,其特征在于,所述互补输入级电路(101)包括NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5和PMOS管MP6,其中,
所述NMOS管MN1的漏极连接所述第一PMOS并联电流分配电路(102),所述NMOS管MN2的漏极连接所述第二PMOS并联电流分配电路(103),所述NMOS管MN1的源极和所述NMOS管MN2的源极均连接所述NMOS管MN3的漏极;所述NMOS管MN1的栅极、所述PMOS管MP3的栅极和所述PMOS管MP6的栅极相互连接并作为所述Gm单元的负输入端;所述NMOS管MN2的栅极、所述PMOS管MP4的栅极和所述PMOS管MP5的栅极相互连接并作为所述Gm单元的正输入端;
所述NMOS管MN3的栅极输入第三偏置电压VB1,所述NMOS管MN3的源极连接接地端,所述PMOS管MP1的源极和所述PMOS管MP2的源极均连接电源端,所述PMOS管MP1的栅极连接所述PMOS管MP2的栅极并输入第四偏置电压VB2;
所述PMOS管MP1的漏极同时连接所述PMOS管MP3的源极、所述PMOS管MP5的漏极和所述PMOS管MP6的源极;所述PMOS管MP2的漏极同时连接所述PMOS管MP4的源极、所述PMOS管MP6的漏极和所述PMOS管MP5的源极;
所述PMOS管MP3的漏极连接所述第一NMOS并联电流分配电路(108),所述PMOS管MP4的漏极连接所述第二NMOS并联电流分配电路(109)。
3.根据权利要求1所述的适用于全差分四阶Gm-C滤波器的Gm单元,其特征在于,所述第一PMOS并联电流分配电路(102)和所述第二PMOS并联电流分配电路(103)具有相同的电路结构,所述第一PMOS串联电流分配电路(104)和所述第二PMOS串联电流分配电路(105)具有相同的电路结构,所述第一NMOS并联电流分配电路(106)和所述第二NMOS并联电流分配电路(107)具有相同的电路结构,所述第一NMOS串联电流分配电路(108)和所述第二NMOS串联电流分配电路(109)具有相同的电路结构。
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