[发明专利]一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜

权利要求书

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

取薄膜基材；

通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层，所述合金层中包含第一种金属和第二种金属；其中，所述第一种金属是比所述第二种金属易于氧化的金属。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述合金层中还包括非金属，所述非金属为碳族元素或者非金属硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层，具体包括：

在真空镀膜腔室内，采用含有所述第一种金属和所述第二种金属的合金靶材对所述薄膜基材进行溅射镀膜。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层，具体包括：

采用包含所述第一种金属和所述非金属的合金靶材对所述薄膜基材进行溅射，在所述薄膜基材上层积上包含所述第一种金属和所述非金属的合金层；

在层积有包含所述第一种金属和所述非金属的合金层的薄膜基材上采用第二种金属靶材对所述薄膜基材进行溅射，在所述薄膜基材上层积上包含所述第一种金属、所述第二种金属和所述非金属的合金层；

在层积有包含所述第一种金属、所述第二种金属和所述非金属的合金层的薄膜基材上采用包含所述第一种金属和所述非金属的合金靶材对所述薄膜基材进行溅射。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：通过真空镀膜的方式或者水电镀的方式在层积有所述合金层的薄膜基材上层积金属层。

6.一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括：

薄膜基材，以及设置在所述薄膜基材的上表面和/或下表面的合金层；

所述合金层的成份包括第一种金属和第二种金属；其中，所述第一种金属是比所述第二种金属易于氧化的金属。

7.根据权利要求6所述的导电薄膜，其特征在于，所述合金层中所述第二种金属的占比大于所述第一种金属的占比；

所述第二种金属的占比为98％至99％，所述第一种金属的占比为0.01％至0.1％。

8.根据权利要求6所述的导电薄膜，其特征在于，所述合金层的成份还包括非金属，所述非金属为碳族元素或者非金属硅；

当所述第一种金属为金属铁，所述非金属为非金属硅时，所述金属铁与所述非金属硅之间的比值小于4.0。

9.根据权利要求6所述的导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜还包括：

打底层，设置在所述薄膜基材与所述合金层之间，所述打底层的材质为金属或者非金属；

当所述打底层的材质为金属时，所述金属的种类与所述第二种金属的种类相同。

10.根据权利要求6所述的导电薄膜，其特征在于，

在所述合金层的表面设置有金属层，所述金属层的金属种类与所述第二种金属的种类相同；

所述金属层通过水电镀或者真空镀膜的方式沉积在所述薄膜基材上。