[发明专利]一种薄层Pt金属电极的溅射生长方法在审
| 申请号： | 202310577530.1 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116623139A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张向锋;贺琦璐;张利学;丁嘉欣;陶飞;陈刚;王三煜;毛思雨 | 申请（专利权）人： | 中航凯迈（上海）红外科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 洛阳市凯旋专利事务所(普通合伙) 41112 | 代理人： | 冯雯雯 |
| 地址： | 201311 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄层 pt 金属电极 溅射 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄层Pt金属电极的溅射生长方法，其特征在于，具体步骤为：
S1：打开磁控溅射台设备及控制程序操作界面，打开溅射腔体门，将试验样片放入溅射台溅射腔体内合适位置，关闭腔体门；打开控制程序操作界面，在手动操作模式下设置溅射功率40 W -50 W；
S2：手动操作将溅射腔体抽真空至不高于3×10-4Torr，然后关闭所有阀门，再以10sccm的流量向腔体内通入高纯Ar气，腔体压力达到2×10-2 Torr -3×10-2 Torr后停止通气，该腔体压力条件下能够保证靶材连续起辉150s以上；
S3：手动操作Pt电极靶材起辉溅射，计时溅射30s-50s后关闭起辉；从腔体中取出试验样片，测量样片上Pt电极厚度；依据公式：溅射速率=电极厚度/溅射时间，计算出溅射速率；
S4：在溅射功率和腔体压力不变的条件下，根据正片需要的电极厚度，依据公式：溅射时间=电极厚度/溅射速率，计算出正片金属薄层电极生长所需的准确的溅射时间；
S5：根据S4的计算结果，设定溅射时间，控制精确的电极厚度，将正片放入溅射台腔体内，对正片进行电极生长；
S6：电极制备完成后，在真空条件下通过退火方式改善金属电极接触特性，提高金属电极的可靠性。
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