[发明专利]热退火方法在审
| 申请号： | 202310593603.6 | 申请日： | 2023-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN116504627A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 封帆;马强;曹爱;米琳;宁威;张宾 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 方法 | ||
1.一种热退火方法，其特征在于，所述热退火方法包括以下步骤：
向炉管的工作腔中输送待进行热退火处理的晶舟，所述晶舟中包括原硅片和半导体器件，所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层；
向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。
2.如权利要求1所述的热退火方法，其特征在于，所述向炉管的工作腔中输送待进行热退火处理的晶舟，所述晶舟中包括原硅片和半导体器件，所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层的步骤中，所述原硅片表面的氧化层的厚度范围为1000A至2000A。
3.如权利要求1所述的热退火方法，其特征在于，通过以下步骤，在所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层：
在900℃至1000℃的温度环境下，在氧气氛围中，处理14min至15min时间的原硅片，使得所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层。
4.如权利要求1所述的热退火方法，其特征在于，所述原硅片位于所述晶舟的前端部和后端部中。
5.如权利要求1所述的热退火方法，其特征在于，所述向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理的步骤包括：
以5slm至10slm向所述工作腔中通入氮气，并腔加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。
6.如权利要求1所述的热退火方法，其特征在于，向所述工作腔中通入氮气，并腔加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理的步骤包括：
向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔至1100℃至1150℃温度以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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