[发明专利]一种量子比特补偿方法、装置、设备、介质和量子系统

权利要求书

1.一种量子比特补偿方法，其特征在于，包括：

确定量子相位门作用的目标量子比特，并确定所述量子相位门作用的目标电压变化值和持续时间；

确定所述目标量子比特的相邻量子比特，并在作用所述量子相位门之后，根据所述持续时间确定所述相邻量子比特的串扰电压变化值；

根据所述目标电压变化值和所述串扰电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特分别对应的补偿电压，以使对所述目标量子比特和所述相邻量子比特同时作用对应的补偿电压之后，所述目标量子比特的电压变化量为所述目标电压变化值，所述相邻量子比特的电压变化量为零；

对所述目标量子比特和所述相邻量子比特同时作用对应的补偿电压；

其中，所述在作用所述量子相位门之后，根据所述持续时间确定所述相邻量子比特的串扰电压变化值，包括：

在作用所述量子相位门之后，确定所述相邻量子比特的串扰相位累积，并根据所述串扰相位累积和所述持续时间确定所述相邻量子比特的串扰电压变化值；

其中，所述根据所述目标电压变化值和所述串扰电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特分别对应的补偿电压，包括：

根据所述目标电压变化值和所述串扰电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特之间的串扰强度；

根据所述串扰强度和所述目标电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特分别对应的补偿电压。

2.根据权利要求1所述量子比特补偿方法，其特征在于，所述根据所述目标电压变化值和所述串扰电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特之间的串扰强度，包括：

将所述串扰电压变化值与所述目标电压变化值之间的比值确定为所述目标量子比特和所述相邻量子比特之间的串扰强度。

3.根据权利要求2所述量子比特补偿方法，其特征在于，所述根据所述串扰强度和所述目标电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特分别对应的补偿电压，包括：

基于所述串扰强度构建串扰矩阵；其中，所述串扰矩阵的不同行分别对应所述目标量子比特和所述相邻量子比特、不同列分别对应所述目标量子比特和所述相邻量子比特，所述串扰矩阵中的目标位置为所属行对应的量子比特与所属列对应的量子比特之间的串扰强度；

基于所述目标电压变化值构建目标列向量；其中，所述目标列向量中所述目标量子比特对应的位置为所述目标电压变化值，所述相邻量子比特对应的位置为零；

基于所述串扰矩阵和所述目标列向量确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特分别对应的补偿电压；其中，所述串扰矩阵与补偿电压列向量的乘积为所述目标列向量，所述补偿电压列向量的不同位置分别对应所述目标量子比特和所述相邻量子比特。

4.根据权利要求3所述量子比特补偿方法，其特征在于，所述目标量子比特存在第一相邻量子比特和第二相邻量子比特，所述第一相邻量子比特为所述目标量子比特的前一个位置的量子比特，所述第二相邻量子比特为所述目标量子比特的后一个位置的量子比特。

5.根据权利要求4所述量子比特补偿方法，其特征在于，所述在作用所述量子相位门之后，确定所述相邻量子比特的串扰相位累积，并根据所述串扰相位累积和所述持续时间确定所述相邻量子比特的串扰电压变化值，包括：

在作用所述量子相位门之后，确定所述第一相邻量子比特的第一串扰相位累积和所述第二相邻量子比特的第二串扰相位累积；

根据所述第一串扰相位累积和所述持续时间确定所述第一相邻量子比特的第一串扰电压变化值，根据所述第二串扰相位累积和所述持续时间确定所述第二相邻量子比特的第二串扰电压变化值。

6.根据权利要求5所述量子比特补偿方法，其特征在于，所述根据所述目标电压变化值和所述串扰电压变化值确定所述目标量子比特和所述相邻量子比特之间的串扰强度，包括：

将所述第一串扰电压变化值与所述目标电压变化值之间的比值确定为所述目标量子比特和所述第一相邻量子比特之间的第一串扰强度；

将所述第二串扰电压变化值与所述目标电压变化值之间的比值确定为所述目标量子比特和所述第二相邻量子比特之间的第二串扰强度。