[发明专利]一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法在审
申请号: | 202310606765.9 | 申请日: | 2023-05-26 |
公开(公告)号: | CN116631520A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 任清华;晏正威 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G16C10/00 | 分类号: | G16C10/00;B01D53/02 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cha 吸附 气体 分子 能量 计算方法 | ||
1.一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量Eads=Egas//H-CHA-Egas-EH-CHA,其中,Egas//H-CHA为沸石H-CHA模型与气体分子模型的复合模型在高精度优化后得到的能量值,Egas为气体分子模型在高精度优化后得到的能量值,EH-CHA为沸石H-CHA模型在高精度优化后得到的能量值。
2.根据权利要求1所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,高精度优化的能量收敛标准为
3.根据权利要求1所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,所述沸石H-CHA模型的构建为:将化学组成为SinO(2n+x)的沸石CHA模型去除不与Si原子相连的O原子后得到化学组成为SinO2n的结构,将上述结构中的任意一个Si原子替换成Al原子,并在其相邻的任意一个O原子上加上H原子,经低精度优化后得到化学组成为HAlSi(n-1)O2n的H-CHA沸石结构模型,其中n为≥36,x为任意正整数。
4.根据权利要求3所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,低精度优化的能量收敛标准为
5.根据权利要求1所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,所述气体分子模型构建为:将气体结构经低精度优化后,得到气体分子模型。
6.根据权利要求5所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,低精度优化的能量收敛标准为
7.根据权利要求5所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,所述气体结构为原子数不超过6~8个的气体。
8.根据权利要求1所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,所述沸石H-CHA模型与气体分子模型的复合模型的构建为:
将所述沸石H-CHA模型和所述气体分子模型相互吸附,并经低精度优化,得到沸石H-CHA模型与气体分子模型的复合模型。
9.根据权利要求8所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,低精度优化的能量收敛标准为
10.根据权利要求8所述的一种沸石H-CHA吸附气体分子的吸附能量的计算方法,其特征在于,所述沸石H-CHA模型与气体分子模型的相互吸附作用为所述气体分子模型进入所述沸石H-CHA模型的内环并与所述沸石H-CHA模型上的酸性位点相互吸附成稳定构型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310606765.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于计算机的图像处理去噪装置
- 下一篇:一种复合电缆